Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
16.8% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 41; Issue 6
Main
Semiconductors
Volume 41; Issue 6
Semiconductors
Volume 41; Issue 6
1
Vacancy kinetics in heteropolytype epitaxy of SiC
S. Yu. Davydov
,
A. A. Lebedev
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 124 KB
Ваші теги:
english, 2007
2
Threshold stresses for motion of dislocations in extrinsic semiconductors
B. V. Petukhov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 234 KB
Ваші теги:
english, 2007
3
Special features of annealing of radiation defects in irradiatedp-Si crystals
T. A. Pagava
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
Ваші теги:
english, 2007
4
Conductivity and photoconductivity of polymeric composites containing heteropolynuclear Cu(II)/Mn(II) complex in the presence of ionic polymethine dyes
N. A. Davidenko
,
V. N. Kokozay
,
A. A. Ishchenko
,
A. A. Beznishchenko
,
V. G. Makhan’kova
,
N. G. Spitsyna
,
A. S. Lobach
,
I. I. Davidenko
,
A. N. Popenaka
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 256 KB
Ваші теги:
english, 2007
5
Temperature dependence of the band structure of wurtzite-type semiconductor compounds: Gallium and aluminum nitrides
T. V. Gorkavenko
,
S. M. Zubkova
,
L. N. Rusina
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
Ваші теги:
english, 2007
6
Electrical properties of undoped high-resistivityn-CdTe polycrystals
Yu. V. Klevkov
,
S. A. Kolosov
,
A. F. Plotnikov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 192 KB
Ваші теги:
english, 2007
7
Ferromagnetism and anomalous transport in GaAs doped by implantation of Mn and Mg ions
V. A. Kul’bacinskiĭ
,
P. V. Gurin
,
Yu. A. Danilov
,
E. I. Malysheva
,
Y. Horikoshi
,
K. Onomitsu
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 332 KB
Ваші теги:
english, 2007
8
Preparation and optical properties of the co-doped ZnTe single crystals
Yu. F. Vaksman
,
Yu. A. Nitsuk
,
V. V. Pavlov
,
Yu. N. Purtov
,
A. S. Nasibov
,
P. V. Shapkin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
Ваші теги:
english, 2007
9
Photoconductivity of the Pb0.75Sn0.25Te:In alloy in an alternating electric field
A. E. Kozhanov
,
A. V. Nikorich
,
L. I. Ryabova
,
D. R. Khokhlov
,
A. V. Dmitriev
,
V. Shklover
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 209 KB
Ваші теги:
english, 2007
10
Manifestation of clustering of Ge atoms in the spectra of electron spin resonance of Si1 −xGexalloys (0
A. I. Veinger
,
A. G. Zabrodskiĭ
,
T. V. Tisnek
,
S. I. Goloshchapov
,
N. V. Abrosimov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 284 KB
Ваші теги:
english, 2007
11
The effect of narrowing of the band gap on surface recombination in silicon
A. V. Sachenko
,
I. O. Sokolovsky
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 230 KB
Ваші теги:
english, 2007
12
Structural and electrical properties of the GexSi1−x/Si heterojunctions obtained by the method of direct bonding
T. S. Argunova
,
E. I. Belyakova
,
I. V. Grekhov
,
A. G. Zabrodskiĭ
,
L. S. Kostina
,
L. M. Sorokin
,
N. M. Shmidt
,
J. M. Yi
,
J. W. Jung
,
J. H. Je
,
N. V. Abrosimov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 428 KB
Ваші теги:
english, 2007
13
Transfer ratio of Langmuir-Blodgett films as an indicator of the single-crystal silicon surface modified by polyionic layers
A. M. Yashchenok
,
D. A. Gorin
,
K. E. Pankin
,
M. V. Lomova
,
S. N. Shtykov
,
B. N. Klimov
,
G. I. Kurochkina
,
M. K. Grachev
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 196 KB
Ваші теги:
english, 2007
14
Effect of the bias electric field on the spectral distribution of the photodielectric effect in the Schottky-barrier structures based on the cadmium-zinc telluride crystals
V. K. Komar’
,
V. M. Puzikov
,
O. N. Chugai
,
D. P. Nalivaiko
,
S. V. Sulima
,
S. L. Abashin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
Ваші теги:
english, 2007
15
On the electron affinity of silicon carbide polytypes
S. Yu. Davydov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 156 KB
Ваші теги:
english, 2007
16
The effect of low-field injection of charge carriers on the electrical properties of the metal-oxide-semiconductor structures
V. N. Mordkovich
,
A. D. Mokrushin
,
N. M. Omel’yanovskaya
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
Ваші теги:
english, 2007
17
Electron-photon drag effect in a semiconductor superlattice subjected to a high electric field
D. V. Zav’yalov
,
S. V. Kryuchkov
,
E. I. Kukhar’
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
Ваші теги:
english, 2007
18
Random lasing in vertical ZnO nanorods
A. N. Gruzintsev
,
A. N. Red’kin
,
Z. I. Makoveĭ
,
E. E. Yakimov
,
C. Barthou
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
Ваші теги:
english, 2007
19
Variations in the intensity of lasing in vertical ZnO nanorods with polarization of optical excitation
A. N. Gruzintsev
,
A. N. Red’kin
,
Z. I. Makoveĭ
,
E. E. Yakimov
,
C. Barthou
,
P. Benalloul
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 318 KB
Ваші теги:
english, 2007
20
A discrete model of the development and relaxation of a local microbreakdown in silicon avalanche photodiodes operating in the Geiger mode
I. V. Vanyushin
,
V. A. Gergel
,
V. M. Gontar’
,
V. A. Zimoglyad
,
Yu. I. Tishin
,
V. A. Kholodnov
,
I. M. Shcheleva
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 246 KB
Ваші теги:
english, 2007
21
Color capabilities of ZnS:(CuCl,Ga) luminophores depending on the sequence of doping with CuCl and gallium
Yu. Yu. Bacherikov
,
N. V. Kitsyuk
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 185 KB
Ваші теги:
english, 2007
22
High-efficiency dual-junction GaInP/GaAs tandem solar cells obtained by the method of MOCVD
V. M. Lantratov
,
N. A. Kalyuzhnyĭ
,
S. A. Mintairov
,
N. Kh. Timoshina
,
M. Z. Shvarts
,
V. M. Andreev
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 269 KB
Ваші теги:
english, 2007
23
The effect of damaging radiation (p, e, γ) on photovoltaic and tunneling GaAs and GaSbp-njunctions
V. M. Andreev
,
V. V. Evstropov
,
V. S. Kalinovskiĭ
,
V. M. Lantratov
,
V. P. Khvostikov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 294 KB
Ваші теги:
english, 2007
24
Theory of stationary impact-ionization plane waves in semiconductors
A. S. Kyuregyan
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 236 KB
Ваші теги:
english, 2007
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×