Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 42; Issue 10

Semiconductors

Volume 42; Issue 10
1

Parameters of vacancies’ formation in the carbon-subgroup crystals

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 2008
2

Effect of a phase transition on the electron energy spectrum in Ag2S

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 165 KB
english, 2008
3

Autosolitons in bistable system of silicon with deep impurity levels

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 145 KB
english, 2008
4

MössbauerU−centers as tools for studying the Bose condensation in semiconductors

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 294 KB
english, 2008
10

Effect of potential fluctuations on the energy structure of GaAs/AlGaAs quantum wells with A+centers

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 176 KB
english, 2008
12

Ab initio calculations of phonon spectra of (GaP)n(AlP)msuperlattices

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 288 KB
english, 2008
13

Photophysical properties of silicon-containing poly[salicylidene azomethine]s

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 218 KB
english, 2008
14

Comparative analysis of limiting photoconversion efficiency of usual solar cells and solar cells with quantum wells

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 274 KB
english, 2008
16

Highly sensitive submillimeter InSb photodetectors

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 179 KB
english, 2008
17

Properties of waveguide modes in a photon crystal based on slotted silicon with a defect

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
english, 2008