Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 44; Issue 13

Semiconductors

Volume 44; Issue 13
1

On the theory of love waves in heterostructures with hexagonal symmetry

A. K. Morocha
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 193 KB
english, 2010
3

Brightness-voltage characteristics of ZnS:Mn luminescent films

M. K. Samokhvalov, M. O. Takhtenkova
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 138 KB
english, 2010
4

Model of thermal oxidation of silicon with diffusion coefficient relaxation

O. V. Aleksandrov, A. I. Dus’
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2010
5

A study of vapor-phase deposition of silicon nitride layers by ammonolysis of dichlorosilane at lowered pressure

N. M. Manzha
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 255 KB
english, 2010
7

Reversible high-speed electrostatic “contact”

I. L. Baginsky, E. G. Kostsov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 154 KB
english, 2010
8

Determination of parameters of a nonlinear model of GaAs high-power MESFET field transistors

S. A. Bakhvalova
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 161 KB
english, 2010
10

High-power microwave LDMOS transistors for wireless data transmission technologies (Review)

E. V. Kuznetsov, A. V. Shemyakin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 303 KB
english, 2010
12

Simulation of electrical parameters of channels of silicon MOS transistors on a deformed substrate

V. V. Filippov, B. K. Petrov, Yu. M. Myasnyankin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 200 KB
english, 2010
13

Waveguide photonic crystals with characteristics controlled withp-i-ndiodes

D. A. Usanov, A. V. Skripal, A. V. Abramov, A. S. Bogolyubov, V. S. Skvortsov, M. K. Merdanov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 203 KB
english, 2010
14

Analysis of thermal processes in piezoceramic actuator

A. V. Dobrynin, T. V. Kharitonova, V. K. Kazakov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 323 KB
english, 2010
15

Formation and atomic force spectroscopy of AlGaN/GaN nanoheterostructures

K. A. Tsarik, V. K. Nevolin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 189 KB
english, 2010
16

Radiation effects in nanoelectronic elements

D. V. Gromov, V. V. Elesin, G. V. Petrov, I. I. Bobrinetskii, V. K. Nevolin
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 336 KB
english, 2010
18

Kinetics of local probe oxidation of ultrathin V, Nb, Ta, Ti, TiN, and W metal films

I. V. Sagunova, V. I. Shevyakov, S. A. Gavrilov, A. N. Belov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 214 KB
english, 2010
19

Fabrication of nanosized superconductor structures with a critical temperature exceeding 100 K

Yu. E. Grigorashvili, A. V. Bukhlin, I. V. Veryuzhskii
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 145 KB
english, 2010
22

Application of short light pulses for measuring parameters of solar cells

A. F. Yaremchuk, A. V. Alekseev, A. V. Korotkevich
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 160 KB
english, 2010