Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 10

Main
Semiconductors
Volume 48; Issue 10

Semiconductors

Volume 48; Issue 10

1

Electron structure and charge-carrier effective masses in InxGa1 −xN (x= 0.25, 0.5, and 0.75) cubic systems

Ilyasov, V. V., Ershov, I. V., Zhdanova, T. P.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 589 KB

english, 2014

2

Effect of temperature on the thermodynamic density of states in a quantizing magnetic field

Gulyamov, G., Erkaboev, U. I., Sharibaev, N. Yu.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 223 KB

english, 2014

3

Study of the relaxation of the excess current in silicon Schottky diodes

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 176 KB

english, 2014

4

Mechanism of current flow in a Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN ohmic contact in the temperature range of 4.2–300 K

Sachenko, A. V., Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Kapitanchuk, L. M., Sheremet, V. N., Sveshnikov, Yu. N., Pilipchuk, A. S.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 700 KB

english, 2014

5

p+-Si/nano-SiO2/n+-Si capacitor-based tunnel diode with negative differential resistance and a quartz resonator

Kareva, G. G., Vexler, M. I.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 249 KB

english, 2014

6

p-ZnO nanowires—A promising material for the fabrication of vacuum pressure sensors

Kapustianyk, V. B., Panasyuk, M. R., Turko, B. I., Dubov, Yu. G., Serkiz, R. Ya.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 602 KB

english, 2014

7

Charge transport in Si-SiO2and Si-TiO2nanocomposite structures

Milovanov, Yu. S., Kuznetsov, G. V., Skryshevsky, V. A., Stupan, S. M.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 2014

8

Effect of hydrostatic pressure during the annealing of silicon-on-insulator films implanted with a high hydrogen-ion dose

Tyschenko, I. E., Volodin, V. A., Kozlovski, V. V., Popov, V. P.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 244 KB

english, 2014

9

“Exciton” photoconductivity in GaAs crystals

Averkiev, N. S., Zaitsev, D. A., Savchenko, G. M., Seisyan, R. P.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 218 KB

english, 2014

10

The performance of alloyed (CdS0.33Se0.67) quantum dots-sensitized TiO2solar cell

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 732 KB

english, 2014

11

Enhancement of low temperature electron mobility due to an electric field in an InGaAs/InAlAs double quantum well structure

Sahu, T., Palo, S., Nayak, P. K., Sahoo, N.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 214 KB

english, 2014

12

Injection photodiode based on ap-Si-n-CdS-n+-CdS structure

Mirsagatov, Sh. A., Sapayev, I. B.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 221 KB

english, 2014

13

Determination of the structural and optical characteristics of Cu2ZnSnS4semiconductor thin films

Sheleg, A. U., Hurtavy, V. G., Mudryi, A. V., Valakh, M. Ya., Yukhymchuk, V. O., Babichuk, I. S., Leon, M., Caballero, R.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 459 KB

english, 2014

14

P-InAsSbP/n0-InAs/n+-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

Brunkov, P. N., Il’inskaya, N. D., Karandashev, S. A., Latnikova, N. M., Lavrov, A. A., Matveev, B. A., Petrov, A. S., Remennyi, M. A., Sevostyanov, E. N., Stus, N. M.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 2014

15

Comparison of the radiation hardness of silicon and silicon carbide

Lebedev, A. A., Kozlovski, V. V.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2014

16

Specific features of preparation of dense ceramic based on barium zirconate

Lyagaeva, Yu. G., Medvedev, D. A., Demin, A. K., Yaroslavtseva, T. V., Plaksin, S. V., Porotnikova, N. M.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.04 MB

english, 2014

17

Quantum corrections to threshold voltages for fully depleted SOI transistors with two independent gates

Popov, V. P., Ilnitsky, M. A., Naumova, O. V., Nazarov, A. N.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 347 KB

english, 2014

18

Planar light-emitting microcavities based on hydrogenated amorphous silicon carbide

Medvedev, A. V., Feoktistov, N. A., Grudinkin, S. A., Dukin, A. A., Golubev, V. G.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 219 KB

english, 2014

19

Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities

Imenkov, A. N., Grebenshchikova, E. A., Sherstnev, V. V., Leonidov, A. A., Il’inskaya, N. D., Serebrennikova, O. Yu., Teissier, R., Baranov, A. N., Yakovlev, Yu. P.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 566 KB

english, 2014

20

On the band gap and thermal expansion of MnIn5.0S8.5single crystals

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 284 KB

english, 2014

21

Effect of deviations from the stoichiometric composition on the electrical and photoelectrical properties of the Hg3In2Te6compound

Grushka, O. G., Savchuk, A. I., Chupyra, S. M., Mysliuk, O. M., Bilichuk, S. V., Shlemkevych, V. V.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 209 KB

english, 2014

22

Extremely short electromagnetic pulse in a superlattice taking into account field inhomogeneity along its axis

Fedorov, E. G., Konobeeva, N. N., Belonenko, M. B.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 360 KB

english, 2014

23

Photoelectric and photovoltaic properties of structures based on mesoporous silicon passivated with iron

Bilenko, D. I., Galushka, V. V., Zharkova, E. A., Mysenko, I. B., Terin, D. V., Khasina, E. I.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 180 KB

english, 2014

24

Effective Hamiltonians for heterostructures based on direct-gap III–V semiconductors. Thekpperturbation theory and the method of invariants

Glinskii, G. F., Mironova, M. S.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 281 KB

english, 2014

25

Lattice vibrations of Zn1 −xCdxSe semiconductor alloy in the two-mode and percolation models of rearrangement of the vibrational spectrum with the composition

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 200 KB

english, 2014

26

On the temperature delocalization of carriers in GaAs/AlGaAs/InGaAs quantum-well heterostructures

Pikhtin, N. A., Lyutetskiy, A. V., Nikolaev, D. N., Slipchenko, S. O., Sokolova, Z. N., Shamakhov, V. V., Shashkin, I. S., Bondarev, A. D., Vavilova, L. S., Tarasov, I. S.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 177 KB

english, 2014