Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
16.8% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 50; Issue 11
Main
Semiconductors
Volume 50; Issue 11
Semiconductors
Volume 50; Issue 11
1
On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnxfilms
I. V. Erofeeva,M. V. Dorokhin,V. P. Lesnikov,A. V. Zdoroveishchev…
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 396 KB
Ваші теги:
english, 2016
2
Anisotropy of the magnetocapacitance of structures based on PbSnTe:In/BaF2films
Klimov, A. E.
,
Epov, V. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 483 KB
Ваші теги:
english, 2016
3
Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence
Kosarev, A. N.
,
Chaldyshev, V. V.
,
Preobrazhenskii, V. V.
,
Putyato, M. A.
,
Semyagin, B. R.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
Ваші теги:
english, 2016
4
Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields
Balagula, R. M.
,
Vinnichenko, M. Ya.
,
Makhov, I. S.
,
Firsov, D. A.
,
Vorobjev, L. E.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 461 KB
Ваші теги:
english, 2016
5
Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method
Lobanov, D. N.
,
Novikov, A. V.
,
Yunin, P. A.
,
Skorohodov, E. V.
,
Shaleev, M. V.
,
Drozdov, M. N.
,
Khrykin, O. I.
,
Buzanov, O. A.
,
Alenkov, V. V.
,
Folomin, P. I.
,
Gritsenko, A. B.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 322 KB
Ваші теги:
english, 2016
6
Wide-aperture total absorption of a terahertz wave in a nanoperiodic graphene-based plasmon structure
Polischuk, O. V.
,
Melnikova, V. S.
,
Popov, V. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 434 KB
Ваші теги:
english, 2016
7
Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes
Shamirzaev, V. T.
,
Gaisler, V. A.
,
Shamirzaev, T. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 397 KB
Ваші теги:
english, 2016
8
Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands
Shmagin, V. B.
,
Vdovichev, S. N.
,
Morozova, E. E.
,
Novikov, A. V.
,
Shaleev, M. V.
,
Shengurov, D. V.
,
Krasilnik, Z. F.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 348 KB
Ваші теги:
english, 2016
9
Anharmonic Bloch oscillations of electrons in electrically biased superlattices
Ivanov, K. A.
,
Girshova, E. I.
,
Kaliteevski, M. A.
,
Clark, S. J.
,
Gallant, A. J.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
Ваші теги:
english, 2016
10
On the condensation of exciton polaritons in microcavities induced by a magnetic field
Kochereshko, V. P.
,
Avdoshina, D. V.
,
Savvidis, P.
,
Tsintzos, S. I.
,
Hatzopoulos, Z.
,
Kavokin, A. V.
,
Besombes, L.
,
Mariette, H.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 184 KB
Ваші теги:
english, 2016
11
Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells
Bovkun, L. S.
,
Krishtopenko, S. S.
,
Ikonnikov, A. V.
,
Aleshkin, V. Ya.
,
Kadykov, A. M.
,
Ruffenach, S.
,
Consejo, C.
,
Teppe, F.
,
Knap, W.
,
Orlita, M.
,
Piot, B.
,
Potemski, M.
,
Mikhailov, N. N.
,
Dvoretski
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.50 MB
Ваші теги:
english, 2016
12
Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer δ-doped with Mn
Kalentyeva, I. L.
,
Vikhrova, O. V.
,
Danilov, Yu. A.
,
Zvonkov, B. N.
,
Kudrin, A. V.
,
Drozdov, M. N.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 345 KB
Ваші теги:
english, 2016
13
Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon
Cirlin, G. E.
,
Shtrom, I. V.
,
Reznik, R. R.
,
Samsonenko, Yu. B.
,
Khrebtov, A. I.
,
Bouravleuv, A. D.
,
Soshnikov, I. P.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 536 KB
Ваші теги:
english, 2016
14
Dynamic generation of spin-wave currents in hybrid structures
Lyapilin, I. I.
,
Okorokov, M. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 219 KB
Ваші теги:
english, 2016
15
Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires
Mozharov, A. M.
,
Kudryashov, D. A.
,
Bolshakov, A. D.
,
Cirlin, G. E.
,
Gudovskikh, A. S.
,
Mukhin, I. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 359 KB
Ваші теги:
english, 2016
16
Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy
Plankina, S. M.
,
Vikhrova, O. V.
,
Danilov, Yu. A.
,
Zvonkov, B. N.
,
Konnova, N. Yu.
,
Nezhdanov, A. V.
,
Pashenkin, I. Yu.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 288 KB
Ваші теги:
english, 2016
17
Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates
Yablonsky, A. N.
,
Morozov, S. V.
,
Gaponova, D. M.
,
Aleshkin, V. Ya.
,
Shengurov, V. G.
,
Zvonkov, B. N.
,
Vikhrova, O. V.
,
Baidus’, N. V.
,
Krasil’nik, Z. F.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 252 KB
Ваші теги:
english, 2016
18
Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes
Baidus, N. V.
,
Kukushkin, V. A.
,
Zvonkov, B. N.
,
Nekorkin, S. M.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 310 KB
Ваші теги:
english, 2016
19
Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
Martovitsky, V. P.
,
Sadofyev, Yu. G.
,
Klekovkin, A. V.
,
Saraikin, V. V.
,
Vasil’evskii, I. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 445 KB
Ваші теги:
english, 2016
20
Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range
Pavelyev, D. G.
,
Vasilev, A. P.
,
Kozlov, V. A.
,
Koschurinov, Yu. I.
,
Obolenskaya, E. S.
,
Obolensky, S. V.
,
Ustinov, V. M.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 566 KB
Ваші теги:
english, 2016
21
Germanium laser with a hybrid surface plasmon mode
Dubinov, A. A.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
Ваші теги:
english, 2016
22
Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon
Zhukavin, R. Kh.
,
Kovalevsky, K. A.
,
Orlov, M. L.
,
Tsyplenkov, V. V.
,
Hübers, H.-W.
,
Dessmann, N.
,
Kozlov, D. V.
,
Shastin, V. N.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 228 KB
Ваші теги:
english, 2016
23
Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser
N. V. Baydus,S. M. Nekorkin,D. A. Kolpakov,A. V. Ershov…
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
Ваші теги:
english, 2016
24
Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells
A. S. Bolshakov,V. V. Chaldyshev,E. E. Zavarin,A. V. Sakharov…
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 187 KB
Ваші теги:
english, 2016
25
Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source
V. M. Daniltsev,E. V. Demidov,M. N. Drozdov,Yu. N. Drozdov…
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 188 KB
Ваші теги:
english, 2016
26
Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications
M. V. Dorokhin,D. A. Pavlov,A. I. Bobrov,Yu. A. Danilov…
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 667 KB
Ваші теги:
english, 2016
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×