Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
16.8% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 50; Issue 9
Main
Semiconductors
Volume 50; Issue 9
Semiconductors
Volume 50; Issue 9
1
Laser sintering of a TiO2nanoporous film on a flexible substrate for application in solar cells
Malyukov, S. P.
,
Sayenko, A. V.
,
Kirichenko, I. A.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 418 KB
Ваші теги:
english, 2016
2
On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena
Petrov, V. N.
,
Sidorov, V. G.
,
Talnishnikh, N. A.
,
Chernyakov, A. E.
,
Shabunina, E. I.
,
Shmidt, N. M.
,
Usikov, A. S.
,
Helava, H.
,
Makarov, Yu. N.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 292 KB
Ваші теги:
english, 2016
3
On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions
Veselov, D. A.
,
Shashkin, I. S.
,
Bakhvalov, K. V.
,
Lyutetskiy, A. V.
,
Pikhtin, N. A.
,
Rastegaeva, M. G.
,
Slipchenko, S. O.
,
Bechvay, E. A.
,
Strelets, V. A.
,
Shamakhov, V. V.
,
Tarasov, I. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 309 KB
Ваші теги:
english, 2016
4
Low-temperature conductivity of gadolinium sulfides
S. N. Mustafaeva,S. M. Asadov
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
Ваші теги:
english, 2016
5
Temperature dependence of the band gap of the single-crystal compounds In2S3and AgIn5S8
Bodnar, I. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
Ваші теги:
english, 2016
6
Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector
Chatbouri, S.
,
Troudi, M.
,
Sghaier, N.
,
Kalboussi, A.
,
Aimez, V.
,
Drouin, D.
,
Souifi, A.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 342 KB
Ваші теги:
english, 2016
7
Conditions of growth of high-quality relaxed Si1–xGexlayers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire
Shengurov, V. G.
,
Chalkov, V. Yu.
,
Denisov, S. A.
,
Matveev, S. A.
,
Nezhdanov, A. V.
,
Mashin, A. I.
,
Filatov, D. O.
,
Stepikhova, M. V.
,
Krasilnik, Z. F.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 365 KB
Ваші теги:
english, 2016
8
Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2–Si structures
Kalygina, V. M.
,
Egorova, I. M.
,
Novikov, V. A.
,
Prudaev, I. A.
,
Tolbanov, O. P.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.82 MB
Ваші теги:
english, 2016
9
Photoluminescence spectra of thin films of ZnTPP–C60and CuTPP–C60molecular complexes
Elistratova, M. A.
,
Zakharova, I. B.
,
Romanov, N. M.
,
Panevin, V. Yu.
,
Kvyatkovskii, O. E.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 521 KB
Ваші теги:
english, 2016
10
Plasmon–phonon coupling in the infrared reflectance spectra of Bi2Se3films
Novikova, N. N.
,
Yakovlev, V. A.
,
Kucherenko, I. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 361 KB
Ваші теги:
english, 2016
11
On methods of determining the band gap of semiconductor structures withp–njunctions
Vikulin, I. M.
,
Korobitsyn, B. V.
,
Kriskiv, S. K.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 221 KB
Ваші теги:
english, 2016
12
Halogen diffusion on a Ga-stabilized ζ-GaAs(001)–(4 × 2) surface
Bakulin, A. V.
,
Kulkova, S. E.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
Ваші теги:
english, 2016
13
Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide
Altuhov, V. I.
,
Kasyanenko, I. S.
,
Sankin, A. V.
,
Bilalov, B. A.
,
Sigov, A. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 307 KB
Ваші теги:
english, 2016
14
Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates
Seredin, P. V.
,
Goloshchapov, D. L.
,
Lenshin, A. S.
,
Lukin, A. N.
,
Fedyukin, A. V.
,
Arsentyev, I. N.
,
Bondarev, A. D.
,
Lubyanskiy, Y. V.
,
Tarasov, I. S.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.13 MB
Ваші теги:
english, 2016
15
Synthesis and study of thin TiO2films doped with silver nanoparticles for the antireflection coatings and transparent contacts of photovoltaic converters
Lunin, L. S.
,
Lunina, M. L.
,
Kravtsov, A. A.
,
Sysoev, I. A.
,
Blinov, A. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 535 KB
Ваші теги:
english, 2016
16
Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Khvostikov, V. P.
,
Kalyuzhnyy, N. A.
,
Mintairov, S. A.
,
Sorokina, S. V.
,
Potapovich, N. S.
,
Emelyanov, V. M.
,
Timoshina, N. Kh.
,
Andreev, V. M.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 277 KB
Ваші теги:
english, 2016
17
Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance
Nadtochiy, A. M.
,
Kalyuzhnyy, N. A.
,
Mintairov, S. A.
,
Payusov, A. S.
,
Rouvimov, S. S.
,
Maximov, M. V.
,
Zhukov, A. E.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 714 KB
Ваші теги:
english, 2016
18
Dielectric properties of layered FeGaInS4single crystals in an alternating electric field
Mammadov, F. M.
,
Niftiyev, N. N.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 266 KB
Ваші теги:
english, 2016
19
Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures
Bagraev, N. T.
,
Chernev, A. L.
,
Klyachkin, L. E.
,
Malyarenko, A. M.
,
Emel’yanov, A. K.
,
Dubina, M. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 998 KB
Ваші теги:
english, 2016
20
Formation of the low-resistivity compound Cu3Ge by low-temperature treatment in an atomic hydrogen flux
Erofeev, E. V.
,
Kazimirov, A. I.
,
Fedin, I. V.
,
Kagadei, V. A.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
Ваші теги:
english, 2016
21
Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs
Tsatsulnikov, A. F.
,
Lundin, W. V.
,
Sakharov, A. V.
,
Zavarin, E. E.
,
Usov, S. O.
,
Nikolaev, A. E.
,
Yagovkina, M. A.
,
Ustinov, V. M.
,
Cherkashin, N. A.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 595 KB
Ваші теги:
english, 2016
22
Electrical parameters of polycrystalline Sm1–xEuxS rare-earth semiconductors
Kaminskii, V. V.
,
Kazanin, M. M.
,
Romanova, M. V.
,
Kamenskaya, G. A.
,
Sharenkova, N. V.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 261 KB
Ваші теги:
english, 2016
23
Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520–1580 nm spectral range
Gladyshev, A. G.
,
Novikov, I. I.
,
Karachinsky, L. Ya.
,
Denisov, D. V.
,
Blokhin, S. A.
,
Blokhin, A. A.
,
Nadtochiy, A. M.
,
Kurochkin, A. S.
,
Egorov, A. Yu.
Журнал:
Semiconductors
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 376 KB
Ваші теги:
english, 2016
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×