Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 11; Issue 12

Solid-State Electronics

Volume 11; Issue 12
1

Low frequency noise in MOST's at cryogenic temperatures

C.G. Rogers
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 452 KB
english, 1968
2

Refractory metal silicon device technology

D.M. Brown, W.E. Engeler, M. Garfinkel, P.V. Gray
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.39 MB
english, 1968
3

Berechnung des unbeweglichen Anteiles der Raumladung im Halbleiter einer MOS-Struktur

Georg Baum
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Файл:
PDF, 409 KB
1968
4

Notes on the theory of the forward characteristic of power rectifiers

E. Spenke
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 883 KB
english, 1968
5

Transport of photocarriers in CdxHg1−xTe graded-gap structures

G. Cohen-Solal, Y. Marfaing
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.19 MB
english, 1968
6

Correlation of experiments with a two-section-model theory of the saturation drain conductance of MOS transistors

T.L. Chiu, C.T. Sah
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.09 MB
english, 1968
7

A gallium arsenide double injection diode

I.J. Saunders
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 891 KB
english, 1968
8

Silicon diodes made by laser irradiation

J.M. Fairfield, G.H. Schwuttke
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 771 KB
english, 1968
9

Orientation dependence of stacking fault geometry

M.P. Diment
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 103 KB
english, 1968