Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 11; Issue 5

Solid-State Electronics

Volume 11; Issue 5
1

Electroluminescence in polycrystalline ZnTe

D.I. Kennedy, M.J. Russ
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 1968
2

Non-destructive readout of ferroelectrics by field effect conductivity modulation

G.G. Teather, L. Young
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 492 KB
english, 1968
3

On the solution of poisson equation for an isotype heterojunction under zero-current condition

R.C. Kumar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 592 KB
english, 1968
4

A high Q temperature insensitive inductive transistor circuit

Takahito Saito, Toru Miyakawa, Toshio Ikeda, Kenichiro Tahira, Jiro Ando
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 682 KB
english, 1968
5

Negative resistance and galvanomagnetic effects of hot electrons in inhomogeneous bulk semiconductors

D.K. Ferry, H. Heinrich
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 220 KB
english, 1968
6

Direct observation of electrical faults in planar transistors made in epitaxially grown silicon

D.V. Sulway, P.R. Thornton, M.J. Turner
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 338 KB
english, 1968
7

Some basic logic circuits employing Gunn-effect devices

H. Hartnagel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 340 KB
english, 1968
8

Planar millimeter-wave epitaxial silicon Schottky-barrier converter diodes

W.V.T. Rusch, C.A. Burrus
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 554 KB
english, 1968
9

Switching phenomena in titanium oxide thin films

F. Argall
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 1968
10

Noise parameters of a silicon space-charge-limited triode

S. Yamamoto, A. van der Ziel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 229 KB
english, 1968
11

Effect of wafer thickness upon the breakdown voltage of silicon diodes

R. Kalibjian
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 246 KB
english, 1968