Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 110

Solid-State Electronics

Volume 110

1

Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(001) substrate by reactive deposition

Deng, Yunsheng, Nakatsuka, Osamu, Suzuki, Akihiro, Sakashita, Mitsuo, Zaima, Shigeaki

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.96 MB

english, 2015

2

Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1−x−ySixSny on Ge(001) substrates

Asano, Takanori, Terashima, Tatsuya, Yamaha, Takashi, Kurosawa, Masashi, Takeuchi, Wakana, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2015

3

Compositional dependence of optical interband transition energies in GeSn and GeSiSn alloys

Xu, Chi, Senaratne, Charutha L., Kouvetakis, John, Menéndez, José

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 2015

4

Absorption coefficients of GeSn extracted from PIN photodetector response

Ye, Kaiheng, Zhang, Wogong, Oehme, Michael, Schmid, Marc, Gollhofer, Martin, Kostecki, Konrad, Widmann, Daniel, Körner, Roman, Kasper, Erich, Schulze, Jörg

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.17 MB

english, 2015

5

Vertical Ge and GeSn heterojunction gate-all-around tunneling field effect transistors

Schulze, Jörg, Blech, Andreas, Datta, Arnab, Fischer, Inga A., Hähnel, Daniel, Naasz, Sandra, Rolseth, Erlend, Tropper, Eva-Maria

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.63 MB

english, 2015

6

Arsenic atomic layer doping in Si using AsH3

Yamamoto, Yuji, Kurps, Rainer, Murota, Junichi, Tillack, Bernd

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 910 KB

english, 2015

7

Threshold voltage and transconductance shifting reliance on strained-SiGe channel dimension

Chang, Wen-Teng, Lin, Yu-Seng, Shih, Cheng-Ting

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 466 KB

english, 2015

8

Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1−x−yGexSny layers on SiO2

Yamaha, Takashi, Kurosawa, Masashi, Ohmura, Takuma, Takeuchi, Wakana, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.15 MB

english, 2015

9

Electrical characterization of p-GeSn/n-Ge diodes with interface traps under dc and ac regimes

Baert, B., Gupta, S., Gencarelli, F., Loo, R., Simoen, E., Nguyen, N.D.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 506 KB

english, 2015

10

Enhanced light emission from Ge by GeO2 micro hemispheres

Chen, Yen-Yu, Yen, C.-C., Chang, T.-Y., Liu, C.W.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1005 KB

english, 2015

11

Facet engineering for SiGe/Si stressors in advanced CMOS technology

Kasim, Johnson, Reichel, Carsten, Dilliway, Gabriela, Bai, Bo, Zakowsky, Nadja

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 974 KB

english, 2015

12

Low-temperature reduction of Ge oxide by Si and SiH4 in low-pressure H2 and Ar environment

Minami, Kaichiro, Moriya, Atsushi, Yuasa, Kazuhiro, Maeda, Kiyohiko, Yamada, Masayuki, Kunii, Yasuo, Niwano, Michio, Murota, Junichi

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.19 MB

english, 2015

13

Revealing high room and low temperatures mobilities of 2D holes in a strained Ge quantum well heterostructures grown on a standard Si(001) substrate

Myronov, Maksym, Morrison, Christopher, Halpin, John, Rhead, Stephen, Foronda, Jamie, Leadley, David

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 626 KB

english, 2015

14

Optimization of ISBD embedded SiGe layers to prevent delamination process for MOSFET applications

Wasyluk, Joanna, Ge, Yang, Wurster, Kai, Lenski, Markus, Reichel, Carsten

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.02 MB

english, 2015

15

SiGe channel deposition by batch epitaxy

Reichel, Carsten, Schoenekess, Joerg, Dietel, Andreas, Wasyluk, Joanna, Chow, Yew Tuck, Kammler, Thorsten

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.59 MB

english, 2015

16

Novel Si–Ge–C superlattices and their applications

Augusto, Carlos J.R.P., Forester, Lynn

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.09 MB

english, 2015

17

Editorial Board

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 62 KB

english, 2015