Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 111

Solid-State Electronics

Volume 111

1

Temperature-dependent electrical characterization of high-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and ohmic drain contacts

Taube, Andrzej, Kaczmarski, Jakub, Kruszka, Renata, Grochowski, Jakub, Kosiel, Kamil, Gołaszewska-Malec, Krystyna, Sochacki, Mariusz, Jung, Wojciech, Kamińska, Eliana, Piotrowska, Anna

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.56 MB

english, 2015

2

On the extraction of the external drain and source resistors and effective channel length in Si-MOSFET

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.35 MB

english, 2015

3

Using dual plasma treatment to improve electrical characteristics and reduce flicker noise of high-κ HfO2 LTPS-TFTs

Chang, Kow-Ming, Huang, Bo-Wen, Wu, Chien-Hung, Deng, I-Chung, Chang, Ting-Chia, Lin, Sheng-Chia

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2015

4

Effect of annealing temperature on the electrical properties of In–Zn–Li–O thin film transistors

Li, Bin, Wang, Hailong, Zhou, Dongzhan, Hu, Zuofu, Wu, Huaihao, Peng, Yunfei, Yi, Lixin, Zhang, Xiqing, Wang, Yongsheng

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 674 KB

english, 2015

5

Low temperature fabrication of high performance ZnO thin film transistors with high-k dielectrics

Walker, Brandon, Pradhan, Aswini K., Xiao, Bo

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.33 MB

english, 2015

6

Dual bipolar resistive switching in the sub-forming regime of HfO2 resistive switching devices

Recher, Shani, Yalon, Eilam, Ritter, Dan, Riess, Ilan, Salzman, Joseph

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.28 MB

english, 2015

7

Loss mechanisms influence on Cu2ZnSnS4/CdS-based thin film solar cell performance

Courel, Maykel, Andrade-Arvizu, J.A., Vigil-Galán, O.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 2015

8

Dynamic variability in 14nm FD-SOI MOSFETs and transient simulation methodology

Theodorou, Christoforos G., Ioannidis, Eleftherios G., Haendler, Sebastien, Dimitriadis, Charalabos A., Ghibaudo, Gerard

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 841 KB

english, 2015

9

Effects of thickness and geometric variations in the oxide gate stack on the nonvolatile memory behaviors of charge-trap memory thin-film transistors

Bak, Jun Yong, Kim, So-Jung, Byun, Chun-Won, Pi, Jae-Eun, Ryu, Min-Ki, Hwang, Chi Sun, Yoon, Sung-Min

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.14 MB

english, 2015

10

Investigation of the width-dependent static characteristics of graphene nanoribbon field effect transistors using non-parabolic quantum-based model

Banadaki, Yaser M., Srivastava, Ashok

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.66 MB

english, 2015

11

Effects of the optical absorption of a LED chip on the LED package

Kim, Ki Hyun, Kim, Wan Ho, Jeon, Sie-Wook, Choi, Minho, Song, Sang Bin, Kim, Jae Pil

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 779 KB

english, 2015

12

An in-depth study of thermal effects in reset transitions in HfO2 based RRAMs

Villena, M.A., González, M.B., Roldán, J.B., Campabadal, F., Jiménez-Molinos, F., Gómez-Campos, F.M., Suñé, J.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2015

13

Analytical model of drain current of cylindrical surrounding gate p-n-i-n TFET

Xu, Wanjie, Wong, Hei, Iwai, Hiroshi

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.90 MB

english, 2015

14

Compact modeling of subthreshold swing in double gate and nanowire MOSFETs, for Si and GaAs channel materials

Hiblot, G., Rafhay, Q., Boeuf, F., Ghibaudo, G.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2015

15

A modern perspective on the history of semiconductor nitride blue light sources

Maruska, Herbert Paul, Rhines, Walden Clark

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.55 MB

english, 2015

16

High-power UV-LED degradation: Continuous and cycled working condition influence

Arques-Orobon, F.J., Nuñez, N., Vazquez, M., Segura-Antunez, C., González-Posadas, V.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.64 MB

english, 2015

17

Compact model for short-channel symmetric double-gate junctionless transistors

Ávila-Herrera, F., Cerdeira, A., Paz, B.C., Estrada, M., Íñiguez, B., Pavanello, M.A.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2015

18

Determination of active oxide trap density and 1/f noise mechanism in RESURF LDMOS transistors

Çelik-Butler, Z., Mahmud, M.I., Hao, P., Hou, F., Amey, B.L., Pendharkar, S.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 834 KB

english, 2015

19

Commercially applicable, solution-processed organic TFT and its backplane application in electrophoretic displays

Park, Chang Bum, Lee, Jung Eun, Na, HyungIl, Kim, Kyung Min, Yoo, Soon Sung, Yang, Myoung Su

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.76 MB

english, 2015

20

Impact of fin length on threshold voltage modulation by back bias for Independent double-gate tunnel fin field-effect transistors

Mizubayashi, W., Fukuda, K., Mori, T., Endo, K., Liu, Y.X., Matsukawa, T., O’uchi, S., Ishikawa, Y., Migita, S., Morita, Y., Tanabe, A., Tsukada, J., Yamauchi, H., Masahara, M., Ota, H.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 853 KB

english, 2015

21

Response of plasmonic terahertz detectors to amplitude modulated signals

Rupper, Greg, Rudin, Sergey, Shur, Michael

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 497 KB

english, 2015

22

Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40nm technology

Sun, Lijie, Shang, Ganbing, Liu, Linlin, Cheng, Jia, Guo, Ao, Ren, Zheng, Hu, Shaojian, Chen, Shoumian, Zhao, Yuhang, Chan, Mansun, Zhang, Long, Li, Xiaojin, Shi, Yanling

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.77 MB

english, 2015

23

Engineering of chalcogenide materials for embedded applications of Phase Change Memory

Zuliani, Paola, Palumbo, Elisabetta, Borghi, Massimo, Dalla Libera, Giovanna, Annunziata, Roberto

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.11 MB

english, 2015

24

Effect of uncertainty principle on the Wigner function-based simulation of quantum transport

Kim, Kyoung-Youm, Kim, Saehwa

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1009 KB

english, 2015

25

Advanced error-prediction LDPC with temperature compensation for highly reliable SSDs

Tokutomi, Tsukasa, Tanakamaru, Shuhei, Iwasaki, Tomoko Ogura, Takeuchi, Ken

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 2015

26

Self-aligned two-layer metallization with low series resistance for litho-less contacting of large-area photodiodes

Mok, K.R.C., Qi, L., Vlooswijk, A.H.G., Nanver, L.K.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.08 MB

english, 2015

27

Detailed 8-transistor SRAM cell analysis for improved alpha particle radiation hardening in nanometer technologies

Bota, Sebastià A., Torrens, Gabriel, Verd, Jaume, Segura, Jaume

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.39 MB

english, 2015

28

Low power low temperature poly-Si thin-film transistor shift register with DC-type output driver

Song, Seok-Jeong, Kim, Byung Hoon, Jang, Jin, Nam, Hyoungsik

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.85 MB

english, 2015

29

Conductive filament structure in HfO2 resistive switching memory devices

Privitera, S., Bersuker, G., Lombardo, S., Bongiorno, C., Gilmer, D.C.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2015

30

Full gate voltage range Lambert-function based methodology for FDSOI MOSFET parameter extraction

Karatsori, T.A., Theodorou, C.G., Ioannidis, E.G., Haendler, S., Josse, E., Dimitriadis, C.A., Ghibaudo, G.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 627 KB

english, 2015

31

Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry

Chen, Tingsu, Eklund, Anders, Sani, Sohrab, Rodriguez, Saul, Malm, B. Gunnar, Åkerman, Johan, Rusu, Ana

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.78 MB

english, 2015

32

Surface treatment to improve responsivity of MgZnO UV detectors

Zhao, Yajun, Jiang, Dayong, Liu, Rusheng, Duan, Qian, Tian, Chunguang, Sun, Long, Gao, Shang, Qin, Jieming, Liang, Qingcheng, Zhao, Jianxun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.33 MB

english, 2015

33

A new explicit and analytical model for square Gate-All-Around MOSFETs with rounded corners

Moreno, E., Villada, M.P., Ruiz, F.G., Roldán, J.B., Marin, E.G.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.86 MB

english, 2015

34

Scaling and carrier transport behavior of buried-channel In0.7Ga0.3As MOSFETs with Al2O3 insulator

Kim, Taewoo, Kim, Dae-Hyun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 889 KB

english, 2015

35

Short channel amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistor arrays for ultra-high definition active matrix liquid crystal displays: Electrical properties and stability

Kim, Soo Chang, Kim, Young Sun, Yu, Eric Kai-Hsiang, Kanicki, Jerzy

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.07 MB

english, 2015

36

Efficiency analysis of betavoltaic elements

Sachenko, A.V., Shkrebtii, A.I., Korkishko, R.M., Kostylyov, V.P., Kulish, M.R., Sokolovskyi, I.O.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 683 KB

english, 2015

37

Fabrication and characterization of sub-micron In0.53Ga0.47As p-i-n diodes

Gaur, Abhinav, Filmer, Matthew, Thomas, Paul, Bhatnagar, Kunal, Droopad, Ravi, Rommel, Sean

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 789 KB

english, 2015

38

Editorial Board

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 62 KB

english, 2015

39

Multilevel metal/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/TiOxNy/Si for next generation FeRAM technology node

Sharma, Deepak K., Khosla, Robin, Sharma, Satinder K.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.32 MB

english, 2015

40

All regimes mobility extraction using split C–V technique enhanced with charge-sheet model

Hubert, Q., Carmona, M., Rebuffat, B., Innocenti, J., Masson, P., Masoero, L., Julien, F., Lopez, L., Chiquet, P.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 780 KB

english, 2015