Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 115
Main
Solid-State Electronics
Volume 115
Solid-State Electronics
Volume 115
1
Effects of BEOL on self-heating and thermal coupling in SiGe multi-finger HBTs under real operating condition
Dwivedi, A.D.D.
,
Chakravorty, Anjan
,
D’Esposito, Rosario
,
Sahoo, Amit Kumar
,
Fregonese, Sebastien
,
Zimmer, Thomas
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 616 KB
Ваші теги:
english, 2016
2
Small signal modeling of high electron mobility transistors on silicon and silicon carbide substrate with consideration of substrate loss mechanism
Sahoo, A.K.
,
Subramani, N.K.
,
Nallatamby, J.C.
,
Sylvain, L.
,
Loyez, C.
,
Quere, R.
,
Medjdoub, F.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 884 KB
Ваші теги:
english, 2016
3
Investigation of low-frequency noise of 28-nm technology process of high-k/metal gate p-MOSFETs with fluorine incorporation
Kao, Tsung-Hsien
,
Chang, Shoou-Jinn
,
Fang, Yean-Kuen
,
Huang, Po-Chin
,
Wang, Bo-Chin
,
Wu, Chung-Yi
,
Wu, San-Lein
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.33 MB
Ваші теги:
english, 2016
4
Ballistic modeling of InAs nanowire transistors
Jansson, Kristofer
,
Lind, Erik
,
Wernersson, Lars-Erik
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.47 MB
Ваші теги:
english, 2016
5
Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
Xu, Qiuxia
,
Xu, G.
,
Zhou, H.
,
Zhu, H.
,
Liu, J.
,
Wang, Y.
,
Li, J.
,
Xiang, J.
,
Liang, Q.
,
Wu, H.
,
Zhong, J.
,
Xu, M.
,
Xu, W.
,
Ma, X.
,
Wang, X.
,
Tong, X.
,
Chen, D.
,
Yan, J.
,
Zhao, C.
,
Ye, T.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.08 MB
Ваші теги:
english, 2016
6
Electrical characterization and modeling of pulse-based forming techniques in RRAM arrays
Grossi, Alessandro
,
Zambelli, Cristian
,
Olivo, Piero
,
Miranda, Enrique
,
Stikanov, Valeriy
,
Walczyk, Christian
,
Wenger, Christian
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.48 MB
Ваші теги:
english, 2016
7
A high dynamic range power sensor based on GaAs MMIC process and MEMS technology
Yi, Zhenxiang
,
Liao, Xiaoping
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.10 MB
Ваші теги:
english, 2016
8
Properties and mechanisms of Z2-FET at variable temperature
Dirani, Hassan El
,
Solaro, Yohann
,
Fonteneau, Pascal
,
Ferrari, Philippe
,
Cristoloveanu, Sorin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.85 MB
Ваші теги:
english, 2016
9
Analysis and modeling of flicker noise in lateral asymmetric channel MOSFETs
Agarwal, Harshit
,
Kushwaha, Pragya
,
Gupta, Chetan
,
Khandelwal, Sourabh
,
Hu, Chenming
,
Chauhan, Yogesh Singh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.16 MB
Ваші теги:
english, 2016
10
Fabrication and electrical characterizations of SGOI tunnel FETs with gate length down to 50nm
Le Royer, C.
,
Villalon, A.
,
Hutin, L.
,
Martinie, S.
,
Nguyen, P.
,
Barraud, S.
,
Glowacki, F.
,
Allain, F.
,
Bernier, N.
,
Cristoloveanu, S.
,
Vinet, M.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.96 MB
Ваші теги:
english, 2016
11
Impact of bias conditions on electrical stress and ionizing radiation effects in Si-based TFETs
Ding, Lili
,
Gnani, Elena
,
Gerardin, Simone
,
Bagatin, Marta
,
Driussi, Francesco
,
Selmi, Luca
,
Royer, Cyrille Le
,
Paccagnella, Alessandro
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.23 MB
Ваші теги:
english, 2016
12
A compact drain current model for heterostructure HEMTs including 2DEG density solution with two subbands
Deng, Wanling
,
Huang, Junkai
,
Ma, Xiaoyu
,
Liou, Juin J.
,
Yu, Fei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.09 MB
Ваші теги:
english, 2016
13
Study on transconductance non-linearity of AlGaN/GaN HEMTs considering acceptor-like traps in barrier layer under the gate
Du, Jiangfeng
,
Chen, Nanting
,
Jiang, Zhiguang
,
Bai, Zhiyuan
,
Liu, Yong
,
Liu, Yang
,
Yu, Qi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.43 MB
Ваші теги:
english, 2016
14
Resistive memory variability: A simplified trap-assisted tunneling model
Garbin, Daniele
,
Vianello, Elisa
,
Rafhay, Quentin
,
Azzaz, Mourad
,
Candelier, Philippe
,
DeSalvo, Barbara
,
Ghibaudo, Gerard
,
Perniola, Luca
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.40 MB
Ваші теги:
english, 2016
15
New high resolution Random Telegraph Noise (RTN) characterization method for resistive RAM
Maestro, M.
,
Diaz, J.
,
Crespo-Yepes, A.
,
Gonzalez, M.B.
,
Martin-Martinez, J.
,
Rodriguez, R.
,
Nafria, M.
,
Campabadal, F.
,
Aymerich, X.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.76 MB
Ваші теги:
english, 2016
16
A monolithic 3D integrated nanomagnetic co-processing unit
Becherer, M.
,
Breitkreutz-v. Gamm, S.
,
Eichwald, I.
,
Žiemys, G.
,
Kiermaier, J.
,
Csaba, G.
,
Schmitt-Landsiedel, D.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 922 KB
Ваші теги:
english, 2016
17
Characterization of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) structures and MOSFETs on flipped Smart-Cut™ GeOI substrates
Yu, Xiao
,
Kang, Jian
,
Zhang, Rui
,
Takenaka, Mitsuru
,
Takagi, Shinichi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.15 MB
Ваші теги:
english, 2016
18
Replacement fin processing for III–V on Si: From FinFets to nanowires
Waldron, Niamh
,
Merckling, Clement
,
Teugels, Lieve
,
Ong, Patrick
,
Sebaai, Farid
,
Barla, Kathy
,
Collaert, Nadine
,
Thean, Voon-Yew (Aaron)
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.39 MB
Ваші теги:
english, 2016
19
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 55 KB
Ваші теги:
english, 2016
20
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 55 KB
Ваші теги:
english, 2016
21
Selected papers from the EUROSOI-ULIS conference
Gnani, Elena
,
Palestri, Pierpaolo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 186 KB
Ваші теги:
english, 2016
22
A new latch-free LIGBT on SOI with very high current density and low drive voltage
Olsson, J.
,
Vestling, L.
,
Eklund, K.-H.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.91 MB
Ваші теги:
english, 2016
23
The role of cold carriers and the multiple-carrier process of Si–H bond dissociation for hot-carrier degradation in n- and p-channel LDMOS devices
Sharma, Prateek
,
Tyaginov, Stanislav
,
Jech, Markus
,
Wimmer, Yannick
,
Rudolf, Florian
,
Enichlmair, Hubert
,
Park, Jong-Mun
,
Ceric, Hajdin
,
Grasser, Tibor
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.68 MB
Ваші теги:
english, 2016
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×