Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 116
Main
Solid-State Electronics
Volume 116
Solid-State Electronics
Volume 116
1
Quantum simulation of a heterojunction vertical tunnel FET based on 2D transition metal dichalcogenides
Cao, Jiang
,
Cresti, Alessandro
,
Esseni, David
,
Pala, Marco
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.21 MB
Ваші теги:
english, 2016
2
A sharp-switching device with free surface and buried gates based on band modulation and feedback mechanisms
Solaro, Y.
,
Fonteneau, P.
,
Legrand, C.A.
,
Fenouillet-Beranger, C.
,
Ferrari, P.
,
Cristoloveanu, S.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 896 KB
Ваші теги:
english, 2016
3
The effect of annealing temperatures to prepare ZnO seeds layer on ZnO nanorods array/TiO2 nanoparticles photoanode
Chou, Hsueh-Tao
,
Hsu, Ho-Chun
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.86 MB
Ваші теги:
english, 2016
4
DC sputtered amorphous In–Sn–Zn–O thin-film transistors: Electrical properties and stability
Nakata, Mitsuru
,
Zhao, Chumin
,
Kanicki, Jerzy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 796 KB
Ваші теги:
english, 2016
5
Study of voltage decrease in organic light emitting diodes during the initial stage of lifetime
Cusumano, P.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 324 KB
Ваші теги:
english, 2016
6
Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28nm and 40nm CMOS process
Wang, Weihuai
,
Jin, Hao
,
Dong, Shurong
,
Zhong, Lei
,
Han, Yan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.49 MB
Ваші теги:
english, 2016
7
Full electrothermal physically-based modeling of the power diode using PSPICE
Shaker, Ahmed
,
Abouelatta, Mohamed
,
El-Banna, Mohammed
,
Ossaimee, Mahmoud
,
Zekry, Abdelhalim
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.52 MB
Ваші теги:
english, 2016
8
A study on positive-feedback configuration of a bipolar SiC high temperature operational amplifier
Kargarrazi, Saleh
,
Lanni, Luigia
,
Zetterling, Carl-Mikael
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.02 MB
Ваші теги:
english, 2016
9
Impact of gate dielectric constant variation on tunnel field-effect transistors (TFETs)
Kim, Seung Kyu
,
Choi, Woo Young
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.71 MB
Ваші теги:
english, 2016
10
Monolithic integration of low-pass filters with ESD protections on p+ silicon/porous silicon substrates
Capelle, Marie
,
Billoue, Jérôme
,
Concord, Joël
,
Poveda, Patrick
,
Gautier, Gaël
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 708 KB
Ваші теги:
english, 2016
11
Multilayer Pt/Al based ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructures stable up to 600°C ambient air
Goyal, Nitin
,
Dusari, Srujana
,
Bardong, Jochen
,
Medjdoub, Farid
,
Kenda, Andreas
,
Binder, Alfred
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.04 MB
Ваші теги:
english, 2016
12
Closed form expressions for sheet resistance and mobility from Van-der-Pauw measurement on 90° symmetric devices with four arbitrary contacts
Ausserlechner, Udo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.77 MB
Ваші теги:
english, 2016
13
High-performance logic transistor DC benchmarking toward 7nm technology-node between III–V and Si tri-gate n-MOSFETs using virtual-source injection velocity model
Baek, Rock-Hyun
,
Kim, Jin Su
,
Kim, Do-Kywn
,
Kim, Taewoo
,
Kim, Dae-Hyun
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 646 KB
Ваші теги:
english, 2016
14
Extraction of second harmonic from an InP based planar Gunn diode using diamond resonator for milli-metric wave frequencies
Maricar, Mohamed Ismaeel
,
Khalid, Ata
,
Cumming, D.R.S.
,
Oxley, C.H.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 820 KB
Ваші теги:
english, 2016
15
Gamma and proton irradiation effects and thermal stability of electrical characteristics of metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3 dielectric
Rafí, J.M.
,
Pellegrini, G.
,
Fadeyev, V.
,
Galloway, Z.
,
Sadrozinski, H.F.-W.
,
Christophersen, M.
,
Phlips, B.F.
,
Lynn, D.
,
Kierstead, J.
,
Hoeferkamp, M.
,
Gorelov, I.
,
Palni, P.
,
Wang, R.
,
Seidel, S.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.74 MB
Ваші теги:
english, 2016
16
Thin-films and transistors of p-ZnTe
Lastra, G.
,
Olivas, A.
,
Mejía, J.I.
,
Quevedo-López, M.A.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 388 KB
Ваші теги:
english, 2016
17
Comprehensive understanding of charge lateral migration in 3D SONOS memories
Liu, Lifang
,
Arreghini, Antonio
,
Van den bosch, Geert
,
Pan, Liyang
,
Van Houdt, Jan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 782 KB
Ваші теги:
english, 2016
18
Preliminary study and design for variation of lateral width SOI LDMOS device
Wang, Ying
,
Meng, Xiong-fei
,
Cui, Su-fen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.37 MB
Ваші теги:
english, 2016
19
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 55 KB
Ваші теги:
english, 2016
20
Hydrogen-induced program threshold voltage degradation analysis in SONOS wafer
Lin, Qing
,
Zhao, Crystal
,
Sheng, Nan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.13 MB
Ваші теги:
english, 2016
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×