Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 12; Issue 10

Solid-State Electronics

Volume 12; Issue 10
1

Carrier mobility in silicon MOST's

N.St.J. Murphy, F. Berz, I. Flinn
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 966 KB
english, 1969
2

Distribution of energy states at band edges in GaAs laser diodes

G.J. Burrell, T.S. Moss, A. Hetherington
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 874 KB
english, 1969
3

Low-temperature epitaxial growth of doped silicon films and junctions

R.N. Thomas, M.H. Francombe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.25 MB
english, 1969
4

On the non-uniformly illuminated p+-n junction—II: Non-linear, time independent case

C.M. Groden, J.A. Richards
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 541 KB
english, 1969
5

Characteristics of GaAs photovoltaic diodes at low irradiance

R. Kalibjian, K. Mayeda
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 336 KB
english, 1969
6

A simple and accurate approximation to the high-frequency characteristics of insulated-gate field-effect transistors

J.A. van Nielen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 305 KB
english, 1969
7

Electric current saturation in a junction field-effect transistor

D.P. Kennedy, R.R. O'Brien
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 180 KB
english, 1969
8

Improved stability in Al2O3CdSe thin-film transistors

A. Waxman, G. Mark
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 1023 KB
english, 1969