Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 12; Issue 3

Solid-State Electronics

Volume 12; Issue 3
1

Distribution of sodium in silicon nitride

I. Fränz, W. Langheinrich
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 514 KB
english, 1969
2

Boundary conditions for the space-charge region of a P-N-junction

Allen Nussbaum
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 544 KB
english, 1969
3

The effect of strain on MOS transistors

A.P. Dorey, T.S. Maddern
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 385 KB
english, 1969
4

Current saturation and oscillation in CdSe

S. Yee, A. Kawai, M.L. Neudorfer
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 746 KB
english, 1969
5

An autoradiographic study of the penetration of bismuth into thin evaporated lead oxide films

F.W.E. Jackson, J.D.H. Hughes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 282 KB
english, 1969
6

Minority carrier injection of metal-silicon contacts

A.Y.C. Yu, E.H. Snow
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 464 KB
english, 1969
7

On the high frequency excess noise and equivalent circuit representation of the MOS-FET with n-type channel

H.E. Halladay, A. van der Ziel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.01 MB
english, 1969
8

Über die Methoden der Nullspannungs-kompensation bei Hallgeneratoren

David Fränkel, Uwe Grün
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1969
Мова:
german
Файл:
PDF, 575 KB
german, 1969