Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 121

Solid-State Electronics

Volume 121

1

Comprehensive physics-based compact model for fast p-i-n diode using MATLAB and Simulink

Xue, Peng, Fu, Guicui, Zhang, Dong

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2016

2

Efficient light output power for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors incorporated with InGaAs quantum wells

Huang, Tzu-Hsuan, Wu, Meng-Chyi

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 965 KB

english, 2016

3

Instability investigation of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3 and Al2O3/HfO2

Kwon, Hyuk-Min, Kim, Do-Kywn, Lim, Sung-Kyu, Hwang, Hae-Chul, Son, Seung Woo, Park, Jung Ho, Park, Won-Sang, Kim, Jin Su, Shin, Chan-Soo, Park, Won-Kyu, Lee, Jung Hee, Kim, Taewoo, Kim, Dae-Hyun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 952 KB

english, 2016

4

On the turn-around phenomenon in n-MOS transistors under NBTI conditions

Benabdelmoumene, A., Djezzar, B., Chenouf, A., Tahi, H., Zatout, B., Kechouane, M.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2016

5

Minority carrier injection and current–voltage characteristics of Schottky diodes at high injection level

Mnatsakanov, Tigran T., Levinshtein, Michael E., Tandoev, Alexey G., Yurkov, Sergey N., Palmour, John W.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 472 KB

english, 2016

6

Estimation of the average junction temperature of two phosphors-converted white LED array based on (B+Y+R)/B ratio

Ke, Hong-Liang, Jing, Lei, Hao, Jian, Gao, Qun, Wang, Yao, Wang, Xiao-xun, Sun, Qiang, Xu, Zhi-Jun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.95 MB

english, 2016

7

Measurement of brightness temperature of two-dimensional electron gas in channel of a high electron mobility transistor at ultralow dissipation power

Korolev, A.M., Shulga, V.M., Turutanov, O.G., Shnyrkov, V.I.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 466 KB

english, 2016

8

Editorial Board

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 55 KB

english, 2016

9

A 72% error reduction scheme based on temperature acceleration for long-term data storage applications: Cold flash and millennium memories

Yamazaki, Senju, Iwasaki, Tomoko Ogura, Hachiya, Shogo, Takahashi, Tomonori, Takeuchi, Ken

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.59 MB

english, 2016