Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 149
Main
Solid-State Electronics
Volume 149
Solid-State Electronics
Volume 149
1
Al2O3 thin film multilayer structure for application in RRAM devices
Rodrigues, A.N.
,
Santos, Y.P.
,
Rodrigues, C.L.
,
Macêdo, M.A.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.06 MB
Ваші теги:
english, 2018
2
Accurate semi empirical predictive model for doped and undoped double gate MOSFET
Cabré, Roger
,
Eshetu Muhea, Wondwosen
,
Iñiguez, Benjamin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.37 MB
Ваші теги:
english, 2018
3
Flicker modeling scheme of liquid crystal displays based on current leakage without information about TFT parameters
Kim, Dowon
,
Song, Seok-Jeong
,
Lee, Jae Hoon
,
Koh, Jai-Hyun
,
Kim, Heendol
,
Lee, Soo-Yeon
,
Lee, Gyu-Su
,
Nam, Hyoungsik
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.34 MB
Ваші теги:
english, 2018
4
An insight to mobility parameters for AOSTFTs, when the effect of both, localized and free carriers, must be considered to describe the device behavior
Hernandez-Barrios, Y.
,
Cerdeira, A.
,
Estrada, M.
,
Iñiguez, B.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 458 KB
Ваші теги:
english, 2018
5
Influence of in-situ NH3 plasma passivation on the electrical characteristics of Ga-face n-GaN MOS capacitor with atomic layer deposited HfO2
Jung, Woo Suk
,
Lim, Donghwan
,
Han, Hoonhee
,
Sokolov, Andrey Sergeevich
,
Jeon, Yu-Rim
,
Choi, Changhwan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.45 MB
Ваші теги:
english, 2018
6
Analytical expressions for subthreshold swing in FDSOI MOS structures
Ghibaudo, G.
,
Pananakakis, G.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 684 KB
Ваші теги:
english, 2018
7
Methodology to separate channel conductions of two level vertically stacked SOI nanowire MOSFETs
Paz, Bruna Cardoso
,
Cassé, Mikaël
,
Barraud, Sylvain
,
Reimbold, Gilles
,
Vinet, Maud
,
Faynot, Olivier
,
Pavanello, Marcelo Antonio
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 4.38 MB
Ваші теги:
english, 2018
8
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 62 KB
Ваші теги:
english, 2018
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
