Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 167

Solid-State Electronics

Volume 167

1

Temperature-dependent study of slow traps generation mechanism in HfO2/GeON/Ge(1Â 1Â 0) metal oxide semiconductor devices

Agrawal, Khushabu, Patil, Vilas, Barhate, Viral, Yoon, Geonju, Lee, Youn-Jung, Mahajan, Ashok, Yi, Junsin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.68 MB

english, 2020

2

Improved electrical characteristics and reliability of p-MOSFET with fluorine implant

Lee, Seonhaeng, Yoo, Keon, Ryu, Youngmi, Choi, Yuri, Nam, Kibong, Son, Seunghun, Cha, Seonyong

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.06 MB

2020

3

Severe hump phenomenon induced by increased charge trapping and suppression of electron capture effect in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors under unipolar pulsed drain bias with static positive gate bias stress

Kim, Yongjo, Ha, Tae-Kyoung, Cho, Yong-Jung, Kang, Yun-Seong, Yu, SangHee, Kim, GwangTae, Jeong, Hun, Park, Jeong Ki, Kim, Ohyun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.63 MB

2020

4

Highly stable GaN-based betavoltaic structures grown on different dislocation density substrates

Grzanka, Szymon, Marona, Lucja, WiÅniewski, PrzemysÅaw, Targowski, Grzegorz, ZarÄba, Barbara, Wincel, Krzysztof, Klimasz, Marcin, Lotz, Tomasz, Kacperski, Jacek, Laskowski, Piotr, Perlin, Piotr

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.47 MB

2020

5

Editorial Board

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 29 KB

2020