Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 19; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 19; Issue 6
1

Ageing in ZnSe:Mn light emitting diodes

J.I.B. Wilson, J.W. Allen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 1976
2

Theory of lifetime measurements with the scanning electron microscope: Transient analysis

H.K. Kuiken
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
english, 1976
3

Current noise in surface layer integrated resistors

K.C. Hsieh, E.R. Chenette, A. van der Ziel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 243 KB
english, 1976
4

Unintentional writing of a FAMOS memory device during reading

Kjell O. Jeppson, Christer M. Svensson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 1976
5

Influence of a flatband-voltage variation along the channel on the drain characteristics of a TFT

M. Burgelman, H.J. Pauwels
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 273 KB
english, 1976
6

Optimized design of GaAs FET's for low-noise microwave amplifiers

Shojiro Asai, Shinji Okazaki, Hiroshi Kodera
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 704 KB
english, 1976
7

Solar cell conducting grid structure

K.W. Heizer, T.L. Chu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 158 KB
english, 1976
9

n-GaAs Schottky diodes metallized with Ti and Pt/Ti

A.K. Sinha, T.E. Smith, M.H. Read, J.M. Poate
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 409 KB
english, 1976
10

C-V characteristics of ion implanted depletion IGFETs and buried channel CCDs

G.W. Taylor
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 803 KB
english, 1976
11

Separation of surface and bulk components in MOS-C generation rate measurements

D.W. Small, R.F. Pierret
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 739 KB
english, 1976
12

Variability study and design considerations of hyperabrupt junction voltage variable capacitors

Rajendra Kumar, A.B. Bhattacharyya
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 555 KB
english, 1976
13

One-dimensional calculation of thyristor forward voltages and holding currents

Mamoru Kurata
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 743 KB
english, 1976
14

Temperature dependence of boron diffusion in (111), (110) and (100) silicon

G. Masetti, S. Solmi, G. Soncini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 221 KB
english, 1976
15

Effect of longitudinal field on shift in cross-over voltage in SCL conduction for Al-CdS-Au films

Pyare Lal, P.N. Dixit, S.K. Srivastava
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 188 KB
english, 1976
16

Capacitance of MOS diodes on substrates doped non-uniformly near the surface

Helmut Feltl
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 626 KB
english, 1976
17

Theory of life time measurements with the scanning electron microscope: Steady state

F. Berz, H.K. Kuiken
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 916 KB
english, 1976
18

The effects of radiation damage on the properties of Ni-nGaAs Schottky diodes—II Terminal characteristics

Paul D. Taylor, D.Vernon Morgan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 731 KB
english, 1976
19

Behavior of various silicon Schottky barrier diodes under heat treatment

P.C. Parekh, R.C. Sirrine, P. Lemieux
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 198 KB
english, 1976
20

The electrical properties of zinc diffused indium phosphide

A. Hooper, B. Tuck
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 485 KB
english, 1976
21

Control of Schottky barrier height using highly doped surface layers

J.M. Shannon
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 761 KB
english, 1976