Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 21; Issue 11-12

Main
Solid-State Electronics
Volume 21; Issue 11-12

Solid-State Electronics

Volume 21; Issue 11-12

1

Foreword

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 64 KB

english, 1978

2

Recombination; a survey

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 659 KB

english, 1978

3

Experimental comparison of localized and free carrier Auger recombination in silicon

Wolfgang Schmid

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 309 KB

english, 1978

4

The first 70 semiconductor Auger processes

P.T. Landsberg, D.J. Robbins

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 475 KB

english, 1978

5

Anisotropic phonon generation in GaAs epilayers and pn junctions

V. Narayanamurti, R.A. Logan, M.A. Chin, M. Lax

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 303 KB

english, 1978

6

Low temperature recombination into shallow donors in germanium: Transient case

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 524 KB

english, 1978

7

Monte Carlo studies of transitions between excited donor states—Resolution: Some open questions in electron-donor recombination

F. Beleznay, L. Andor

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 510 KB

english, 1978

8

Multiphonon recombination processes

Yutaka Toyozawa

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 756 KB

english, 1978

9

On the multiphonon capture rate in semiconductors

Brian K. Ridley

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 418 KB

english, 1978

10

Non-radiative de-excitation of deep centres

A.M. Stoneham, R.H. Bartram

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 516 KB

english, 1978

11

Luminescence decay kinetics in GaP:Bi and GaP:N

M. Sternheim, E. Cohen

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 386 KB

english, 1978

12

Interaction of E1 and E1 + Δ1 exciton recombination with LO phonons in III-V semiconductors

Roger L. Farrow, Richard K. Chang

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 461 KB

english, 1978

13

Quantitative investigation of the recombination involving free particle scattering processes in highly excited blend type II–VI compounds

Claus F. Klingshirn, Walter Maier, Bernd Hönerlage, Hartmut Haug, Stephan W. Koch

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 416 KB

english, 1978

14

Determination of the exciton energy from electron beam excited luminescence in direct gap semiconductors

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 250 KB

english, 1978

15

Phonon replicas of bound exciton recombination

W. Ungier, M. Suffczynski, J. Adamowski

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 240 KB

english, 1978

16

Direct gap recombination in germanium at high excitation level and low temperature

Werner Klingenstein, Heinz Schweizer

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 362 KB

english, 1978

17

Electron-hole plasma luminescence in GaP

N. Bontemps, A. Mysyrowicz, D. Hulin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 147 KB

english, 1978

18

Thermodynamic and spectroscopic measurements of the electron-hole drop binding energy in Ge: An old problem revisited

Bernard Etienne, John M. Worlock, Michel Voos

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 308 KB

english, 1978

19

Electron-hole droplet condensation in semiconductors: Phase diagrams

T.L. Reinecke, S.C. Ying

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 406 KB

english, 1978

20

Recombination enhanced defect reactions

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 1978

21

Recombination at dislocations

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 1978

22

The generation of point defects in GaAs by electron-hole recombination at dislocations

P.W. Hutchinson, P.S. Dobson, B. Wakefield, S. O'Hara

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 519 KB

english, 1978

23

SEM cathodoluminescence studies of dislocation recombination in GaP

C.A. Dimitriadis, E. Huang, S.M. Davidson

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 434 KB

english, 1978

24

Excess noise sources due to defects in forward biased junctions

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 492 KB

english, 1978

25

The structure and motion of the self-interstitial in diamond

Alison Mainwood, F.P. Larkins, A.M. Stoneham

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 329 KB

english, 1978

26

Spin orientation by optical pumping in semiconductors

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 790 KB

english, 1978

27

Pulsed optically detected resonance in semiconductors

P. Dawson, B.C. Cavenett, G. Sowersby

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 366 KB

english, 1978

28

Electron recombination between Landau-levels in n-InSb

W. Müller, E. Gornik, T.J. Bridges, T.Y. Chang

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 551 KB

english, 1978

29

The magnetic field dependence of luminescence in plasma-deposited amorphous silicon

Robert A. Street, David K. Biegelsen, John C. Knights, Ching Tsang, Robert M. White

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 360 KB

english, 1978

30

The Auger-effect in Hg1−xCdxTe

Rolf R. Gerhardts, Ralf Dornhaus, Günter Nimtz

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 422 KB

english, 1978

31

Recombination in cadmium mercury telluride photodetectors

I.M. Baker, F.A. Capocci, D.E. Charlton, J.T.M. Wotherspoon

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 559 KB

english, 1978

32

Life time measurements in PbTe and PbSnTe

B. Schlicht, R. Dornhaus, G. Nimtz, L.D. Haas, T. Jakobus

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 369 KB

english, 1978

33

Properties of deep Cu levels in GaP

H.G. Grimmeiss, B. Monemar, L. Samuelson

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 446 KB

english, 1978

34

Deep level profiles at substrate-epitaxial interfaces in gallium phosphide

B. Hamilton, A.R. Peaker

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 498 KB

english, 1978

35

Hot carrier recombination radiation in GaAs diode

M. Inoue, N. Takenaka, J. Shirafuji, Y. Inuishi

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 1978

36

Carrier generation-recombination in the Gunn effect

P.A. Maksym, C.J. Hearn

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 449 KB

english, 1978

37

Thermodynamical analysis of optimal recombination centers in thyristors

Olof Engström, Anders Alm

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 565 KB

english, 1978

38

Resonant Brillouin scattering phenomena in some II–VI compounds

C. Hamaguchi, S. Adachi, Y. Itoh

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 420 KB

english, 1978

39

Recombination of hot-electrons

Rob G. van Welzenis, Jan-Pieter Zeeuwen

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 479 KB

english, 1978

40

Measurement of Auger recombination in silicon by laser excitation

K.G. Svantesson, N.G. Nilsson

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 460 KB

english, 1978

41

Photoluminescence in CuGaSe2

M.P. Vecchi, J. Ramos, W. Giriat

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 404 KB

english, 1978

42

Dynamic multiphonon recombination processes: J. Jortner Department of Chemistry, Tel-Aviv University, Tel Aviv, Israel

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 104 KB

english, 1978

43

On the analytical treatment of Auger recombination in silicon devices at high current density: N.G. Nilsson, I.V. Grekhov, A.E. Otblesk, N.G. Nilsson, J. Dziewior, W. Schmid Physics Department, Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm 70, Sweden

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 104 KB

english, 1978

44

Excitation and recombination of donor-acceptor pairs in ZnTe: S. Nakashima, S. Yasuda Department of Applied Physics, Osaka University, Yamadakami, Suita, Japan

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 104 KB

english, 1978

45

Oxygen-bound exciton recombinations in ZnTeSe: T. Taguchi, S. Fujita ‡, Y. Inuishi, T. Taguchi, H. Venghaus, P. Simmonds, J. Lagois, P. Dean, D. Bimberg Department of Electrical Engineering, Osaka University

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 110 KB

english, 1978

46

Capture cross-section of neutral gold in silicon: W.P. Bickley, D.V. Eddolls, B.O. Sundstrom, L. Huldt, N.G. Nilsson Plessey Research (Caswell) Ltd., Allen Clark Research Centre, Caswell, Towcester, Northants, England

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 110 KB

english, 1978

47

Influence of dissociation of individual dislocations in silicon into Shockley partials on their carrier recombination efficiency: A. Ourmazd, G.R. Booker Department of Metallurgy and Science of Materials, University of Oxford, Oxford, England

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 86 KB

english, 1978

48

Auger de excitation of a metastable state in GaAs: A. Mitonneau, A. Mircea, D. Bois, G. Vincent Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3 Avenue Descartes-BP15, 94450 Limeil-Brévannes, France

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 86 KB

english, 1978

49

Carrier density dependence of Auger recombination

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 390 KB

english, 1978

50

Resonant Raman scattering versus hot electron effects in excitation spectra of CdTe

A. Nakamura, C. Weisbuch

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 659 KB

english, 1978

51

Auger and radiative recombination of acceptor bound excitons in semiconductors

G.C. Osbourn, S.A. Lyon, K.R. Elliott, D.L. Smith, T.C. McGill

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 387 KB

english, 1978

52

Exciton localisation at impurity pairs in zinc telluride and indium phosphide

Paul J. Dean, A.M. White

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 533 KB

english, 1978

53

Lifetime and radiative efficiency vs density in the strain-confined electron-hole liquid in Ge

Susan M. Kelso, John E. Furneaux

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 447 KB

english, 1978

54

Spin dependent recombination at dislocations in silicon

D. Neubert, K. Hoffmann, H. Teichmann, R. Schlief

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 543 KB

english, 1978

55

The effect of single-phonon and plasmon recombination on the lifetime in n-Hg1−xCdxTe with magnetically tuned bandgap

Ralf Dornhaus, Günter Nimtz

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 376 KB

english, 1978

56

Recombination in small-gap Pb1−xSnxTe

Klaus H. Herrmann

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 499 KB

english, 1978

57

Recombination at deep traps

Hans J. Queisser

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 1978

58

Carrier recombination and deep levels in PbTe

K. Lischka, W. Huber

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 1978

59

Scanning photocurrent microscopy: A new technique to study inhomogeneously distributed recombination centers in semiconductors

David V. Lang, Charles H. Henry

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 472 KB

english, 1978

60

Recombination effects in p-type silicon S.B.S.C'S

C.M. Klimpke, P.T. Landsberg

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 414 KB

english, 1978

61

The effects of grain boundary and interface recombination on the performance of thin-film solar cells

Lawrence L. Kazmerski

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 523 KB

english, 1978

62

Electron-hole recombination in GaAlAs DH lasers

H. Burkhard, K. Mause

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 551 KB

english, 1978

63

New electronic effects in double injection diodes with one deep level

Ingo Dudeck, Rainer Kassing

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 453 KB

english, 1978

64

Non uniform recombination in thin silicon-on-sapphire films

Sorin Cristoloveanu, Alain Chovet, Georges Kamarinos

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 566 KB

english, 1978

65

Improved analysis of pulsed C-t measurements on silicon MOS capacitors

K.S. Rabbani, J.L. Pennock, D.R. Lamb

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 590 KB

english, 1978

66

Fine structure and Zeeman effect of the excited state of the green emitting copper centre in zinc oxide

Immanuel J. Broser, Rudolf K.F. Germer, Hans-Joachim E. Schulz, Klaus P. Wisznewski

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 532 KB

english, 1978

67

Defects induced by one-MeV proton irradiation in gallium arsenide using transient capacitance methods: Sheng, S. Li, D.W. Schoenfeld, F. Llevada, K.L. Wang Department of Electrical Engineering University of Florida, Gainesville, FL 32611, U.S.A.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 110 KB

english, 1978

68

Luminescence excitation spectra of GaPxAs1-x:N: H. Mariette †, J. Chevallier Laboratoire de Physique des Solides, C. N. R. S. 1, Place A Briand, 92190 Meudon-Bellevue, France

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 94 KB

english, 1978

69

Carrier lifetime measurements from transient electrical photoresponses to laser pulse excitation: D.M. Bielle-Daspet, A.M. Johan, F. Espioussas, G.D. Gasset Centre d'Etude Spatiale des Rayonnements, B. P. 4346 31029 Toulouse Cedex, France

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 94 KB

english, 1978