Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 21; Issue 3

Solid-State Electronics

Volume 21; Issue 3
1

Evaluation of arsenic implanted layers by means of MOS memory characteristics

Y. Wada, S. Nishimatsu, K. Sato
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 449 KB
english, 1978
2

On the fill factor of solar cells

D.L. Pulfrey
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 174 KB
english, 1978
3

Operation and characterization of N-channel EPROM cells

John J. Barnes, Jeff L. Linden, John R. Edwards
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 747 KB
english, 1978
4

Effect of high-temperature H2-anneals on the slow-trapping instability of MOS structures

A.K. Sinha, H.J. Levinstein, L.P. Adda, E.N. Fuls, E.I. Povilonis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 456 KB
english, 1978
5

The behaviour of boron molecular ion implants into silicon

David G. Beanland
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 913 KB
english, 1978
7

Bulk lifetime determination of MOS structures by a voltage step response method

C. Trullemans, F. Van de Wiele
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 315 KB
english, 1978
8

Electrical characteristics of palladium silicide

M. Wittmer, D.L. Smith, P.W. Lew, M.-A. Nicolet
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 696 KB
english, 1978
9

Junction potentials of strongly illuminated n+ - p - p+ solar cells

Anant G. Sabnis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 548 KB
english, 1978
10

High-frequency thermal noise in MOSFETs

W.A. Baril, H.M. Choe, A. van der Ziel, S.T. Hsu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 236 KB
english, 1978
11

Modified charge-control model for MOS transistors

Umesh Kumar, A.B. Bhattacharyya
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 176 KB
english, 1978
12

D.C. and high-frequency characteristics of built-in channel MOS-FETs

Pierre E. Schmidt, Mukunda B. Das
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 867 KB
english, 1978
13

C–V index of hyperabrupt p-n junctions

A.K. Gupta, M.S. Tyagi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 429 KB
english, 1978
14

Electron tunnelling in semiconductor heterostructures

D. Mukherji, B.R. Nag
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 523 KB
english, 1978
15

Design and performance of micron-size devices

F.M. Klaassen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 675 KB
english, 1978
16

An integral equation method to calculate the transient behaviour of a photovoltaic solar cell

G. De Mey
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 200 KB
english, 1978
17

On the gate-to-drain current ratio in junction FETs at low temperature

L.M. Rucker, E.R. Chenette, A. Ambrozy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 192 KB
english, 1978
18

Oscillations in JFETs exhibiting current multiplication in the channel

A. van der Ziel, L.M. Rucker
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 182 KB
english, 1978