Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 23; Issue 5

Solid-State Electronics

Volume 23; Issue 5
2

A general formulation of the parameters of the equivalent circuit model of the IGFET—II

Y.A. El-Mansy, A.R. Boothroyd
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 287 KB
english, 1980
3

Avalanche injection in MNOS gate controlled diodes

Phillip Rutter
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
english, 1980
4

Low resistance ohmic contacts containing Sb to GaP

M. Itoh, S. Suzuki, T. Itoh, Y. Yamamoto, K.G. Stephens
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 208 KB
english, 1980
5

A proposed model of MISS composed of two active devices

Armando Adan, Imre Zólomy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 604 KB
english, 1980
6

Electromigration mechanism in aluminium conductors

G.M. von Staszewski, N.E. Walsöe de Reca
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 926 KB
english, 1980
7

Specific contact resistance using a circular transmission line model

G.K. Reeves
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 290 KB
english, 1980
8

Theory of switching in p-n-insulator (tunnel)-metal devices—II: Avalanche mode

S.E-D. Habib, J.G. Simmons
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 763 KB
english, 1980
9

The negative differential resistance and the slope equation of a thyristor

David T.Y. Wei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 369 KB
english, 1980
10

Calculation of the free carrier density profile in a semiconductor near an ohmic contact

Amitabh Chandra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 184 KB
english, 1980
11

Effect of titanium, copper and iron on silicon solar cells

A. Rohatgi, J.R. Davis, R.H. Hopkins, P. Rai-Choudhury, P.G. McMullin, J.R. McCormick
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 599 KB
english, 1980
12

An accurate analysis of noise in rectangular bipolar transistors including current crowding

G. Blasquez, J. Caminade, K.M. van Vliet
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 823 KB
english, 1980
13

Capacitance voltage characterization of poly SiSiO2Si structures

Giora Yaron, Dov Frohman-Bentchkowsky
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 579 KB
english, 1980
14

The effects of phosphorus diffusion cooling rate on I2L gain

Bernard L. Morris
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 816 KB
english, 1980
15

Reverse avalanche breakdown in gated diodes

Sel Colak, Edward H. Stupp
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 552 KB
english, 1980
16

Reversible breakdown voltage collapse in silicon gate-controlled diodes

A. Rusu, O. Pietrareanu, C. Bulucea
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 747 KB
english, 1980
18

Resonant tunneling in MIM structures

W.C. Leipold, T.E. Feuchtwang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 122 KB
english, 1980
19

Generation and external current in MOS capacitors

G. Lubberts, C.R. Viswanathan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 331 KB
english, 1980
20

Determination of minority carrier lifetime and surface generation velocity by hysteresis pulsed C-V method

G. Kaplan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 224 KB
english, 1980
21

Multiplication effects in polysilicon MIS diodes

A. Adán, A. Sarmiento, R. Herrera, J.A. Echeverria
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1980
Мова:
english
Файл:
PDF, 210 KB
english, 1980