Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 24; Issue 10

Solid-State Electronics

Volume 24; Issue 10
1

The influence of illumination on the majority-carrier quasi-fermi-level in the Schottky-barrier diode

E.L. Heasell
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 681 KB
english, 1981
2

Modelling electrical behaviour of nonuniform AlSi Schottky diodes

D. Dascalu, Gh. Brezeanu, P.A. Dan, C. Dima
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 861 KB
english, 1981
3

Current transport in an ion-implanted diode

Y.P. Pai, H.C. Lin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 464 KB
english, 1981
5

Depletion widths of the metal-insulator semiconductor (MIS) structure

Chein Wei Jen, Chung Len Lee, Tan Fu Lei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 1981
6

Scaling merged single-device-well MOSFETs for very large scale integration

M.H. Elsaid, M.I. Elmasry
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1981
7

An analytical approximation for the Fermi-Dirac integral F32(η)

X. Aymerich-Humet, F. Serra-Mestres, J. Millán
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 119 KB
english, 1981
8

Electric field dependence of mobility fluctuation 1/f; noise in elemental semiconductors

R.P. Jindal, A. van der Ziel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 115 KB
english, 1981
9

Numerical studies of the charge capacity of surface-channel charge-coupled devices

J.P. Lavine, B.C. Burkey
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 118 KB
english, 1981
10

Erratum

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Файл:
PDF, 32 KB
1981
11

Effect of transverse electric field on nyquist noise

R.P. Jindal, A. van der Ziel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 158 KB
english, 1981
12

Alloyed tin-gold ohmic contacts to n-type indium phosphide

P.A. Barnes, R.S. Williams
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 763 KB
english, 1981
13

A generalised approach to lifetime measurement in pn junction solar cells

S.R. Dhariwal, N.K. Vasu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.12 MB
english, 1981
14

Photoeffects in common-source and common-drain microwave GaAs MESFET oscillators

H.J. Sun, R.J. Gutmann, J.M. Borrego
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 407 KB
english, 1981
15

Macroscopic electron channelling pattern for laser induced recrystallization monitoring

M.E. Roulet, T. Jeanneret
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 325 KB
english, 1981
16

A time-dependent numerical model of the insulated-gate field-effect transistor

M.S. Mock
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 630 KB
english, 1981
17

Optical requirements for projection lithography

W.G. Oldham, S. Subramanian, A.R. Neureuther
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 551 KB
english, 1981
18

Graphic method of substrate doping determination from C–V characteristics of MIS capacitors

Andrzej Jakubowski
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 1981
19

Depletion layer effects in the open-circuit- voltage-decay lifetime measurement

J.E. Mahan, D.L. Barnes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 621 KB
english, 1981