Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 24; Issue 12

Solid-State Electronics

Volume 24; Issue 12
1

Effect of junction depth on the performance of a diffused n+p silicon solar cell

P. Caleb Dhanasekaran, B.S.V. Gopalam
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 344 KB
english, 1981
2

Numerical simulation of transient processes in 2-D bipolar transistors

B.S. Polsky, J.S. Rimshans
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 357 KB
english, 1981
3

An experimental and theoretical study of polycrystalline thin film transistor

Henri Baudrand, Elzaky Hamadto, Jean-Louis Amalric
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 346 KB
english, 1981
4

Fabrication technology of stable Schottky barrier gates for gallium arsenide MESFETS

Masao Ida, Masao Uchida, Keiho Shimada, Kazuyoshi Asai, Satoru Ishida
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 425 KB
english, 1981
5

Evaluation of the surface photovoltage method of minority-carrier diffusion-length measurement

M.K. Alam, Y.T. Yeow
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
english, 1981
6

Deep centers introduced by argon ion bombardment in n-type silicon

J. Garrido, E. Calleja, J. Piqueras
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 476 KB
english, 1981
7

High resolution thermal mapping of microcircuits using nematic liquid crystals

G. Aszódi, J. Szabon, I. Jánossy, V. Székely
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 524 KB
english, 1981
8

Electromigration measuring techniques for grain boundary diffusion activation energy in aluminum

H.-U. Schreiber, B. Grabe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
english, 1981
9

Effect of emitter recombinations on the open circuit voltage decay of a junction diode

S.C. Jain, R. Muralidharan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 786 KB
english, 1981
10

Avalanche breakdown voltage of GaAs hyperabrupt junctions

Azuma Shimizu, Tashika Koshimizu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 518 KB
english, 1981
11

Editorial announcement

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 72 KB
english, 1981
12

List of contents and author index

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 772 KB
english, 1981
13

Energy levels and degeneracy ratios for chromium in silicon

Takemitsu Kunio Jr., Tomoki Nishino, Eiji Ohta, Makoto Sakata
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 447 KB
english, 1981
14

Interface characteristics of Ge3N4-(n-type) GaAs MIS devices

K.P. Pande, M.L. Chen, M. Yousuf, B. Lalevic
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 1981
15

Theory of abrupt heterojunctions in equilibrium

Amitava Chatterjee, Alan H. Marshak
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 397 KB
english, 1981
16

Theory of back surface field silicon solar cells

S.R. Dhariwal, Arun P. Kulshreshtha
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 504 KB
english, 1981