Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 24; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 24; Issue 6
1

Short channel erase in n-channel Si-gate MNOS EEPROM transistors

Erwin P. Jacobs
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 403 KB
english, 1981
2

Numerical investigation of mesh size convergence rate of the finite element method in MESFET simulation

S.E. Laux, R.J. Lomax
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 878 KB
english, 1981
3

Tunnel diode reverse characteristics at different temperatures

H. Van Cong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 484 KB
english, 1981
4

n-Channel Si-gate process for MNOS EEPROM transistors

Erwin P. Jacobs, Ulrich Schwabe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 554 KB
english, 1981
5

A model for the breakdown characteristics of p-channel MOS transistor protection devices

H. Maes, P. Six, W. Sansen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 921 KB
english, 1981
6

Multi-scan electron beam sintering of AlSi ohmic contacts

M. Finetti, S. Solmi, G. Soncini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 292 KB
english, 1981
7

Stability of SCCDs with extremely low interface state density

L. Risch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 500 KB
english, 1981
8

Spreading resistance calculations by the variational method

S.C. Choo, M.S. Leong, L.S. Tan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 480 KB
english, 1981
9

Rectification in AlxGa1-xAs-GaAs N-n heterojunction devices

S.C. Lee, G.L. Pearson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 466 KB
english, 1981
10

Interface edge effect and its contribution to the frequency dispersion of metal-oxide-semiconductor admittance

Y.C. Sun, C.T. Sah
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 732 KB
english, 1981
11

Mobility of majority carriers in doped noncompensated silicon

T.I. Tošić, D.A. Tjapkin, M.M. Jevtić
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 587 KB
english, 1981
12

Activation energies for the different electromigration mechanisms in aluminum

H.-U. Schreiber
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 531 KB
english, 1981
13

Simple and accurate representation of implantation parameters by low order polynomals

S. Selberherr, E. Guerrero
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 134 KB
english, 1981
14

A dynamic model of the p-n-n+ step recovery diodes for the numerical analysis of pulse circuits

Janina Ceremuga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 652 KB
english, 1981
15

Poisson process and integrated circuit yield prediction

Richard S. Hemmert
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 392 KB
english, 1981
16

High-low junctions for solar cell applications

J. del Alamo, J. van Meerbergen, F. D'Hoore, J. Nijs
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 608 KB
english, 1981
17

Determination of the channel temperature in a GaAs MESFET from the emission transients of deep traps

J.L. Pinsard, R.H. Wallis, A. Zylbersztejn
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 455 KB
english, 1981