Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 25; Issue 9

Solid-State Electronics

Volume 25; Issue 9
2

Effect of reactive sputter etching of SiO2 on the properties of subsequently formed MOS systems

U. Niggerbrügge, P. Balk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 750 KB
english, 1982
3

Theory of Schottky barrier heights of amorphous MIS solar cells

Juh Tzeng Lue
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 515 KB
english, 1982
4

Oxidation of glow discharge a-Si:H

J.P. Ponpon, B. Bourdon
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 146 KB
english, 1982
5

The spreading resistance of a homogeneous slab on a high-resistivity substrate: Mixed boundary value solutions

M.S. Leong, S.C. Choo, L.S. Tan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 603 KB
english, 1982
7

Junction structure effects on constant capacitance DLTS and ODLTS spectra

K.R. Whight
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 814 KB
english, 1982
8

Theory of open circuit voltage decay in a p-n junction diode at high injection

V.K. Tewary, S.C. Jain
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 503 KB
english, 1982
9

Band gap narrowing in heavily doped silicon

S.R. Dhariwal, V.N. Ojha
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 226 KB
english, 1982
10

Two-dimensional device simulator for gate level characterization

Masaaki Tomizawa, Kiyoyuki Yokoyama, Akira Yoshii, Tsuneta Sudo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 393 KB
english, 1982
11

On the theory of the thermionic emission transistor II. TET as an element of logic circuits

Serge Luryi, Rudolph F. Kazarinov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 1020 KB
english, 1982
12

Optimum baritt structure

S. Luryi, R.F. Kazarinov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 319 KB
english, 1982
14

Theoretical analysis of a metal p-n Schottky barrier solar cell

P. Srinivasa Rao, S.K. Sharma
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 165 KB
english, 1982
15

Thickness dependences of solar cell performance

C.T. Sah
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 338 KB
english, 1982
16

Accurate interface handling for mathematical simulation of MOS devices

M. Szuhar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 316 KB
english, 1982
17

Distribution profiles of diffused layers in silicon

N.D. Arora, D.J. Roulston, S.G. Chamberlain
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1982
18

Comment on Hill and Coleman's single high frequency approximation for interface state density determination

J.P. Singh, R.S. Srivastava
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 225 KB
english, 1982
19

Measurements of the thickness of thin oxide films and thin nitride films on silicon by infra-red absorption

J.V. Boal, J.T. Edmond, B. Lawrenson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 242 KB
english, 1982
20

Erratum

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 69 KB
english, 1982
21

Charge accumulation and mobility in thin dielectric MOS transistors

C.G. Sodini, T.W. Ekstedt, J.L. Moll
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 647 KB
english, 1982
22

Interpretation of flatband voltage shifts in terms of charge distributions in MNOS structures

H. Bernt, J.W. Scholtens
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 744 KB
english, 1982
23

Photovoltaic processes in metal-semicrystalline silicon Schottky barriers and implications for grating solar cells

A.W. de Groot, H.C. Card
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 674 KB
english, 1982
24

Analysis of admittance spectroscopy method for the study of deep levels

M. Derdouri, L. Mahdjoubi, M. Benmalek
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
english, 1982
25

On the flat fermi level approximation in the space charge layer of induced-junction solar cells

Patrick De Visschere
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 279 KB
english, 1982