Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 30; Issue 12

Solid-State Electronics

Volume 30; Issue 12
1

Buried injector logic, a vertical IIL using deep ion implantation

A.J. Mouthaan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1987
2

Laser annealing of GaAs implanted with low doses of selenium ions

J.A. Akintunde
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.33 MB
english, 1987
3

Drift velocity and ionization coefficient for holes in single-valley semiconductors

D.K. Gautam, W.S. Khokle, K.B. Garg
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 371 KB
english, 1987
4

New integral representations of circuit models and elements for the circuit technique for semiconductor device analysis

C.T. Sah
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 492 KB
english, 1987
5

A new boron implantation model suitable for analytical modeling of threshold voltage of MOSFETs

A.Das Gupta, S.K. Lahiri
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 482 KB
english, 1987
6

Charge trapping in silicon-rich Si3N4 thin films

D.A. Buchanan, R.A. Abram, M.J. Morant
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 598 KB
english, 1987
7

Thermal radiation, thermal noise and zero-point energy

W.J. Kleen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 159 KB
english, 1987
9

Determination of transport parameters for InP device simulations in n+n+ structures

Gregory B. Tait, Clifford M. Krowne
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
english, 1987
10

A novel two-dimensional MOS transistor for analog applications

Sudhir Aggarwal, A.B. Bhattacharyya, Sudhir Chandra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 647 KB
english, 1987
11

Transient analysis for a new CMOS latchup model

Wei Li, M. El Nokali
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 636 KB
english, 1987
12

Full Schottky high density 2-D infrared charge coupled detector array

Jerzy M. Kuriański, Ulrich Theden, Martin A. Green, John W.V. Storey
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 1987
13

Drift velocity and diffusivity of hot carriers in germanium: Model calculations

M.Ali Omar, Lino Reggiani
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 345 KB
english, 1987
14

MOSFET analysis through numerical solution of Poisson's equation by the method of moments

E. Arvas, R.I. Turkman, P.S. Neelakantaswamy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 299 KB
english, 1987
15

Simple explicit expressions for the moderate inversion limits in long channel MOSFETs for analog applications

Mehran Bagheri
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 354 KB
english, 1987
16

List of contents and author index

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 967 KB
english, 1987
17

A new theoretical model for a p-n junction realistic diode

W.I. Khan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 379 KB
english, 1987
18

A first-order theory of the static induction transistor

C. Bulucea, A. Rusu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.51 MB
english, 1987
19

Optimization of transconductance in JFETs and MESFETs

Alan G. Solheim, David J. Roulston
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 1987
20

Bulk tunneling contribution to the reverse breakdown characteristics of InSb gate controlled diodes

R. Adar, Y. Nemirovsky, I. Kidron
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 508 KB
english, 1987
21

Ohmic contacts on selectively doped AlInAs/GaInAs heterostructures using Ni, AuGe and Au

M. Kamada, H. Ishikawa, Y. Mori, C. Kojima
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 419 KB
english, 1987
22

The threshold voltage of short-channel BC-MOSFET in the enhancement mode

K.Y. Tong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 263 KB
english, 1987
23

Software survey section

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 95 KB
english, 1987
24

Effect of heating on the structure of Au/GaAs encapsulated with SiO2

X.-F. Zeng, D.D.L. Chung, Amir Lakhani
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.25 MB
english, 1987