Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 30; Issue 9

Solid-State Electronics

Volume 30; Issue 9
1

Retention-temperature and endurance characteristics of the MNOS capacitor with processing variations as parameter

A.M. de Almeida, S.S. Li
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 562 KB
english, 1987
2

Analytic results for the base region of bipolar transistors based on computer simulations

Ulrike Zugelder, David J. Roulston
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 499 KB
english, 1987
4

Low temperature formation of insulating layers on silicides by anodic oxidation

W.J. Strydom, J.C. Lombaard, R. Pretorius
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
english, 1987
6

An approach to determining impact ionization rates in semiconductor junctions

Masanori Ito, Takashi Mikawa, Osamu Wada
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 236 KB
english, 1987
7

Ellipsometry measurements on SiO2 films for thicknesses under 200Å

Jau Hwang Ho, Chung Len Lee, Chein Wei Jen, Tan Fu Lei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 716 KB
english, 1987
8

The non-ideal current in bipolar transistors

B.K. Jones, V.O. Katai
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
english, 1987
9

Editorial — Software survey section

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 109 KB
english, 1987
10

Crystal structure and band gap of AlGaAsN

D.P. Munich, R.F. Pierret
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 513 KB
english, 1987
11

Generalized energy-momentum conservation equations in the relaxation time approximation

E.M. Azoff
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 459 KB
english, 1987
13

The spectral response and efficiency of heavily doped emitters in silicon photovoltaic devices

S.C. Jain, J. Tsao, W.J. Kerwin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.16 MB
english, 1987
14

Effects of thermal nitridation on the trapping characteristics of SiO2 films

A. Yankova, L.Do Thanh, P. Balk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 745 KB
english, 1987
15

Photo-accelerated MOS-C C−t transient measurements

R.F. Pierret, W.-M. Au
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 203 KB
english, 1987
16

A three-dimensional threshold voltage expression for MOSFETs with deep-trench isolation

Cheng T. Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1987
Мова:
english
Файл:
PDF, 410 KB
english, 1987