Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 31; Issue 1
Main
Solid-State Electronics
Volume 31; Issue 1
Solid-State Electronics
Volume 31; Issue 1
1
A new experimental determination of the relationship between the Hall mobility and the hole concentration in heavily doped p-type silicon
Y. Sasaki
,
K. Itoh
,
E. Inoue
,
S. Kishi
,
T. Mitsuishi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 839 KB
Ваші теги:
english, 1988
2
Electrical properties of Fe-doped semi-insulating InP after proton bombardment and annealing
J.D. Woodhouse
,
J.P. Donnelly
,
G.W. Iseler
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 415 KB
Ваші теги:
english, 1988
3
Bulk levels and interface calculations for narrow band-gap semiconductors
I. Bloom
,
Y. Nemirovsky
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 794 KB
Ваші теги:
english, 1988
4
The ESFET—An evaporated chemical-sensing field-effect transistor
Nadeem S. Alvi
,
Irving Kaufman
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 394 KB
Ваші теги:
english, 1988
5
Acceptor states at the SiSiO2 int0erface generated by UV and their effect on electron mobility
J. Kassabov
,
D. Dimitrov
,
A. Grueva
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
Ваші теги:
english, 1988
6
An efficient smoothing algorithm for spreading resistance calculations
T. Clarysse
,
W. Vandervorst
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 1022 KB
Ваші теги:
english, 1988
7
Analysis of high efficiency back point contact silicon solar cells
Antonio Luque
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.64 MB
Ваші теги:
english, 1988
8
Non-quasi-static capacitance of p/n junction space-charge regions
J.J. Liou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 567 KB
Ваші теги:
english, 1988
9
Schottky diodes with high series resistance: A simple method of determining the barrier heights
N. Brutscher
,
M. Hoheisel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
Ваші теги:
english, 1988
10
Effect of MS contact on the electrical behaviour of solar cells
Z. Zekry
,
G. Eldallal
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 661 KB
Ваші теги:
english, 1988
11
High-field drift velocity of electrons in silicon inversion layers
A. Modelli
,
S. Manzini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 656 KB
Ваші теги:
english, 1988
12
Influence of the interface and of the channel volume on 1/ƒ noise of MOS transistors biased in the linear region at strong inversion
Franciszek Grabowski
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 553 KB
Ваші теги:
english, 1988
13
A simple high-frequency characterization of a three-phase CCD by controlled free-charge transfer
L.Shankar Narayanan
,
A.B. Bhattacharyya
,
Sudhir Chandra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
Ваші теги:
english, 1988
14
Software survey section
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 48 KB
Ваші теги:
english, 1988
15
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 119 KB
Ваші теги:
english, 1988
16
A new infrared avalanche photodiode for long distance fiber optic communication
P. Chakrabarti
,
B.B. Pal
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 277 KB
Ваші теги:
english, 1988
17
Incompatibility of requirements for optimizing short channel behaviour and long term stability in MOSFETs
F. Bauer
,
S.C. Jain
,
J. Korec
,
V. Lauer
,
M. Offenberg
,
P. Balk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 674 KB
Ваші теги:
english, 1988
18
The effects of thermal silicidation of the current transport characteristics of Ti/〉111〈Si Schottky-barrier contacts
Hsun-Hua Tseng
,
Ching-Yuan Wu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 771 KB
Ваші теги:
english, 1988
19
Modelling of ohmic MOSFET operation at very low temperature
G. Ghibaudo
,
F. Balestra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
Ваші теги:
english, 1988
20
The PdZn system for ohmic contacts to p-type GaP
Tan Fu Lei
,
Guang Kai Jeng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 450 KB
Ваші теги:
english, 1988
21
Lateral n-p-n bipolar transistors by ion implantation into semi-insulating GaAs
P. Canfield
,
L. Forbes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
Ваші теги:
english, 1988
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×