Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 33; Issue 1

Solid-State Electronics

Volume 33; Issue 1
1

Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 121 KB
english, 1990
2

Consequences of spatial distributions of the interface states on the Schottky barrier

G.N. Lu, C. Barret, T. Neffati
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 850 KB
english, 1990
3

Temperature dependence of I-V and C-V characteristics of Ni/n-CdF2 Schottky barrier type diodes

P. Cova, A. Singh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 926 KB
english, 1990
4

1f noise in corbino disk: Anisotropic mobility fluctuations?

V.B. Orlov, A.V. Yakimov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 512 KB
english, 1990
5

Carrier transport simulator for silicon based on carrier distribution function evolutions

Takahiro Iizuka, Masao Fukuma
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 750 KB
english, 1990
6

An avalanche multiplication model for bipolar transistors

J.J. Liou, J.S. Yuan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 390 KB
english, 1990
7

Schottky barrier diode characteristics under high level injection

W.T. Ng, S. Liang, C.Andre T. Salama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 626 KB
english, 1990
8

Optimization of solar cell performance

F. Pelanchon, P. Mialhe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 376 KB
english, 1990
9

Analytical model for I-V characteristics of JFETs with heavily doped channels

S. Noor Mohammad, M.B. Patil, J. Chen, M.S. Ünlü, H. Morkoç
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.25 MB
english, 1990
10

Anomalous acoustoelectric effect in semiconductor layered structures using separated medium configuration

M.N. Abedin, V.L. Strashilov, P. Das
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 343 KB
english, 1990
12

Dielectric breakdown wearout limitation of thermally-grown thin-gate oxides

Yasuaki Hokari
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 410 KB
english, 1990
14

Energy-gap change in silicon n-type inversion layers at low temperature

R.B.M. Girisch, R.P. Mertens, O.B. Verbeke
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 664 KB
english, 1990
15

Voltage periodic structures in the negative differential resistance region of a (Al, Ga)As/GaAs quantum well

P.G. Richard, E. Fortin, O. Berolo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 499 KB
english, 1990
16

Self-consistent calculation of electron density in a two-channel modulation-doped structure

M.B. Patil, H. Morkoç
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 541 KB
english, 1990
17

Charge transport and storage of low programming voltage SONOS/MONOS memory devices

Frank R. Libsch, Marvin H. White
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.84 MB
english, 1990
18

Analytic approach to the a.c. conductance method for rapid characterization of interface states in MOS structures

R.D.S. Yadava
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 1008 KB
english, 1990
19

Dynamics of deep level trapping in space charge regions

A.K. Jonscher
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 471 KB
english, 1990
20

Comparison of characteristics of lightly-doped drain MOSFETs

B.D. Liu, I.K. Chien
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 198 KB
english, 1990
21

Operation of MOSFETs in saturation and non-saturation for minimum temperature drift

Maher E. Rizkalla
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 169 KB
english, 1990
22

Editorial — Software survey section

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 115 KB
english, 1990