Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 34; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 34; Issue 6
1

Special Issue on solid-state device and material mesurements

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 45 KB
english, 1991
4

Analytical two-dimensional model of solar cell current-voltage characteristics

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 371 KB
english, 1991
5

Interaction of hot electrons with two-dimensional gas in semiconductor superlattices

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 427 KB
english, 1991
6

InP/InGaAs DHBTs for high frequency and high speed ECL circuits using a submicron-model

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 433 KB
english, 1991
8

Calculation of effective band gap narrowing in heavily-doped and compensated silicon

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 248 KB
english, 1991
9

Numerical simulations of the capacitance of forward-biased Schottky-diodes

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
english, 1991
10

Preparation of a Pt-GaAs Schottky contact by ion plating

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 103 KB
english, 1991
11

The base-collector heterojunction effect in SiGe-base bipolar transistors

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
english, 1991
12

Comparison of symmetrical and asymmetrical hot-electron injection in MOS transistors

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 456 KB
english, 1991
13

Physical mechanism of the “reverse short-channel effect” in MOS transistors

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 297 KB
english, 1991
14

Charge trapping and retention in ultra-thin oxide-nitride-oxide structures

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 242 KB
english, 1991
15

The remote-base transistor biasing scheme of a thyristor for three-terminal measurement of base parameters

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 176 KB
english, 1991
16

An evaluation of energy transport models for silicon device simulation

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 878 KB
english, 1991
17

Analysis of the high-frequency performance of high-Tc superconducting-base hot-electron transistors

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 392 KB
english, 1991
18

A new methodology for developing a fast two-dimensional MOSFET device simulator

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 874 KB
english, 1991
19

A quantum well δ-doped GaAs FET fabricated by low-pressure metal organic chemical vapor deposition

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 997 KB
english, 1991
20

Stacked Si-bipolar diodes with lateral polycrystalline inter-connections grown by two-step MBE

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 567 KB
english, 1991
21

Selfconsistent Monte Carlo comparison of submicrometer GaAs and Si MESFETs

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 149 KB
english, 1991
22

A study of the effect of interband tunneling current on the R0A product of Hg1−xCdxTe photodiodes

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 169 KB
english, 1991
23

A study of the temperature dependence of NiCr thin film resistors

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 292 KB
english, 1991
24

Announcements

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 48 KB
english, 1991
25

Software survey section

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 1991