Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 34; Issue 9

Solid-State Electronics

Volume 34; Issue 9
2

A new approach to the current-voltage characteristics of a MOS-transistor

Bertil Sigfridsson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 613 KB
english, 1991
3

Determination of maximum frequency for unity power transfer ratio of HEMTs and MESFETs for high frequency applications

Qing Zhong Liu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 309 KB
english, 1991
4

Surface potential transients of ultrathin SiO2Si structures

J. Mizsei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 411 KB
english, 1991
5

Carrier transport processes in p-n junction layers with a distribution of trap levels

Akio Sasaki, Peter N. Robson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 602 KB
english, 1991
6

One-dimensional modeling of high concentration boron diffusion in polysilicon-silicon structures

A.D. Sadovnikov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 546 KB
english, 1991
7

1/ƒ noise in a p-i-n diode and in a diode laser below threshold

R.J. Fronen, F.N. Hooge
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 346 KB
english, 1991
8

Simulation of reverse breakdown in planar P-N junctions

Q. Huang, G.A.J. Amaratunga, E.M.Sankara Narayanan, W.I. Milne
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 755 KB
english, 1991
9

Calculation of velocity overshoot in submicron devices using an augmented drift-diffusion model

Edwin C. Kan, Umberto Ravaioli, Thomas Kerkhoven
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 311 KB
english, 1991
10

The impurity dose, a useful parameter for emitter design

R. Alcubilla, J. Pons
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 350 KB
english, 1991
11

Characterization of silicon wafers by transient microwave photoconductivity measurements

A. Sanders, M. Kunst
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 779 KB
english, 1991
12

Gate voltage control of surface potential in inversion mode InGaAsP MISFETs

S. Sarkar, R.K. Sharma, V.K. Tandon
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 120 KB
english, 1991
13

On the optimum Ge fraction in Si/Si1−xGex heterojunction bipolar transistors

J.M. McGregor, S.C. Jain, D.J. Roulston
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
english, 1991
14

Editorial - software survey section

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 82 KB
english, 1991