Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 36; Issue 1

Solid-State Electronics

Volume 36; Issue 1
1

Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 51 KB
english, 1993
2

Spreading resistance analysis based on the method of regularisation

S.C. Choo, M.S. Leong, Y.T. Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 739 KB
english, 1993
3

Nickel-gallium arsenide high-voltage power Schottky diodes

G. Ashkinazi, Tz. Hadas, B. Meyler, M. Nathan, L. Zolotarevski, O. Zolotarevski
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 464 KB
english, 1993
4

Rigorous theory and simplified model of the band-to-band tunneling in silicon

A. Schenk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.14 MB
english, 1993
5

The peripheral bipolar junction transistor and its relation to predictability in device modeling

M. Choi, D.E. Burk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
english, 1993
6

Selfheating effects in silicon resistors operated at cryogenic ambient temperatures

Edmundo A. Gutiérrez D., Ludo Deferm, Gilbert Declerck
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 682 KB
english, 1993
7

The impact of electron transport regimes on the linearity of AlGaAs/n+-InGaAs HFETs

David R. Greenberg, Jesús A. Del Alamo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 699 KB
english, 1993
9

Properties of a new U.V.-sensitive CCD detector array

J. Kothe, W. von Münch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 646 KB
english, 1993
10

A new oxidation-resistant CoSi2 process for self-aligned silicidation (salicide) technology

Yung-Song Lou, Ching-Yuan Wu, Huang-Chung Cheng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 940 KB
english, 1993
12

Effect of p-n coupling on reverse recovery transient of a homojunction solar cell

Avinashi Kapoor, R.M. Mehra, P.C. Mathur
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 1993
13

Triangular-voltage sweep C-V method for determination of generation lifetime and surface generation velocity

P. Peykov, J. Carrillo, M. Aceves
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 236 KB
english, 1993
14

Simple expression for the effective electron relaxation time in n-GaAs

A.R. Batchelor
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 185 KB
english, 1993
15

Thermal resistance evaluation in 3-D thermal simulation of MOSFET transistors

I. Hirsch, E. Berman, N. Haik
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 103 KB
english, 1993
16

Analytical base transit time model of uniformly-doped-based bipolar transistors for high-injection regions

Kunihiro Suzuki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 146 KB
english, 1993
17

Noise redistribution in thin films due to electron scattering at the boundaries

O.M. Bulashenko, O.V. Kochelap, V.A. Kochelap
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 157 KB
english, 1993
18

Comments on “Surface potential transients of ultrathin SiO2Si structures”

Ferenc Riesz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 100 KB
english, 1993
19

Reply to “Comments on ‘Surface potential transients of ultrathin SiO2Si structures’”

J. Mizsei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 62 KB
english, 1993
20

Editorial: Software survey section

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 78 KB
english, 1993