Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 36; Issue 5

Solid-State Electronics

Volume 36; Issue 5
2

Analysis of current-voltage characteristics of fully depleted SOI MOSFETs

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 621 KB
english, 1993
3

Calculation of the collector signal delay time of HBT's based on a piecewise-linear velocity profile

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 305 KB
english, 1993
4

Acousto-electric deep-level transient spectroscopy in semiconductors

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 639 KB
english, 1993
5

A study of titanium silicide formation by multiple arsenic-ion-implantation

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 471 KB
english, 1993
6

Monte Carlo study of a 50 nm-dual-gate HEMT providing against short-channel effects

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 529 KB
english, 1993
7

The delayed-turn-on behavior in the accumulation-type SOI PMOS device operating at 77 K

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 405 KB
english, 1993
8

Power law model for positive charge build-up in silicon dioxide due to high-field stressing

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 377 KB
english, 1993
9

Optical effects on the current-voltage characteristics of lightly doped drain silicon MOSFETs

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 602 KB
english, 1993
10

Determination of doping concentration and interface charges for thin film SOI MOSFETs

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 535 KB
english, 1993
11

Analysis and simulation of the frequency response of MOSFETs with uniform and/or local oxide degradation

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 811 KB
english, 1993
13

Characterization of MOVPE grown ZnSe on GaAs using Schottky-diodes

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 546 KB
english, 1993
14

Current-voltage characteristics of lattice-mismatched GaInAs(n+)/GaAs(p) diodes including thermal annealing effects

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 636 KB
english, 1993
15

Analytical modeling of threshold voltages in p-channel Si/SiGe/Si MOS structures

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 854 KB
english, 1993
16

Characterization of a defect layer at a Schottky barrier interface by current and capacitance measurements

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 519 KB
english, 1993
17

Simple model of diamond depletion-type MOSFET

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 179 KB
english, 1993
19

Effects of the clock voltage waveforms on the charge transfer inefficiency of high-speed charge-coupled devices

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 252 KB
english, 1993
20

Interface characterization of fully depleted SOI MOSFETs by a threshold-voltage method

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 196 KB
english, 1993
21

Editorial: Software survey section

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 103 KB
english, 1993
22

Furnace N2O oxidation process for submicron MOSFET device applications

Рік:
1993
Мова:
english
Файл:
PDF, 302 KB
english, 1993