Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 39; Issue 1

Solid-State Electronics

Volume 39; Issue 1
1

Modeling of hot-carrier-stressed characteristics of nMOSFETs

Young-Shying Chen, Tz-Hua Tang, Sheng-Lyang Jang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 474 KB
english, 1996
2

Temperature-independent transconductance in 0.05 μm-gate AlGaAsGaAs MODFET

Tetsuzo Ueda, Kazuo Miyatsuji, Daisuke Ueda
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 366 KB
english, 1996
3

1f noise and dark current components in HgCdTe MIS infrared detectors

Wenmu He, Zeynep Celik-Butler
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 568 KB
english, 1996
4

Analytical approach to breakdown voltages in thin-film SOI power MOSFETs

Il-Jung Kim, Satoshi Matsumoto, Tatsuo Sakai, Toshiaki Yachi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 515 KB
english, 1996
5

An analytical expression for base transit time in an exponentially doped base bipolar transistor

M.M. Jahan, A.F.M. Anwar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1996
7

A silicon-on-insulator quantum wire

J.P. Colinge, X. Baie, V. Bayot, E. Grivei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 176 KB
english, 1996
8

A comparative study of the transient response of GTO thyristors

J.M. Garrett, M.J. Evans, M.S. Towers
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 713 KB
english, 1996
10

Effects of high-level free-carrier injection on the base transit time of bipolar junction transistors

Y. Yue, J.J. Liou, A. Ortiz-Conde, F.Garcia Sanchez
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 312 KB
english, 1996
11

New current-defined threshold voltage model from 2D potential distribution calculations in MOSFETs

Serge Biesemans, Stefan Kubicek, Kristin De Meyer
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 422 KB
english, 1996
12

Modeling of hole confinement gate voltage range for SiGe channel p-MOSFETs

G.F. Niu, G. Ruan, D.H. Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 397 KB
english, 1996
13

A three-dimensional MOSFET solver implementing the fixed point iteration technique

Rajiv Madabhushi, Can E. Korman, Isaak D. Mayergoyz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 643 KB
english, 1996
16

Time of flight analysis of charge transport in insulators for the nondispersive trap limited domain

N.R. Mirchina, A. Peled
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 436 KB
english, 1996
18

Study of quasi-two dimensional hole gas in Si/SixGe1−x/Si quantum wells

S. Cheon, S.C. Lee, S. Hong, K.-H. Yoo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 396 KB
english, 1996
20

Cryogenic operation of power bipolar transistors

Ranbir Singh, B.J. Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 580 KB
english, 1996
22

On the turn-off behaviour of the NPT-IGBT under clamped inductive loads

W. Feiler, W. Gerlach, U. Wiese
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 642 KB
english, 1996
23

The effect of series resistance on threshold voltage measurement techniques for fully depleted SOI MOSFETs

S.P. Wainwright, S. Hall, D. Flandre
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 456 KB
english, 1996
24

Analytical relations pertaining to collector current density and base transit time in bipolar transistors

Pingxi Ma, Lichun Zhang, Yangyuan Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 150 KB
english, 1996
25

Comment on “Analysis of I-V measurements on CrSi2Si Schottky structures in a wide temperature range”

Zs.J. Horváth
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 229 KB
english, 1996
26

Plasma-induced damage and hydrogenation of AlxGa1−xP

J.W. Lee, C.J. Santana, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, K.S. Jones
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 649 KB
english, 1996
28

Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 60 KB
english, 1996