Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 39; Issue 10

Solid-State Electronics

Volume 39; Issue 10
1

An improved velocity overshoot model for submicron-gate MESFETs

F. Schwierz, M. Roßerg, D. Nuernbergk, D. Schipanski, H. Förster, J.J. Liou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 160 KB
english, 1996
2

“Excess” polarization of the spontaneous emission in laser heterostructures

A.A. Ptashchenko, F.A. Ptashchenko
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 465 KB
english, 1996
3

Effective aspect-ratio and gate-capacitance in circular geometry MOS transistors

J.A. De Lima
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 120 KB
english, 1996
4

Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

J.B. Casady, R.W. Johnson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.40 MB
english, 1996
6

New approach to bias scan DLTS for rapid evaluation of interface states in MOS structures

Serhat Özder, ⌟smail Atilgan, Bayram Katircioḡlu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 590 KB
english, 1996
7

Noise in mixed tunneling avalanche transit time (MITATT) diodes

G.N. Dash, J.K. Mishra, A.K. Panda
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 486 KB
english, 1996
8

The charge controlled analog synapse

Aharon J. Agranat, Offer Schwartsglass, Joseph Shappir
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 372 KB
english, 1996
9

Heat generation in Si bipolar power devices: The relative importance of various contributions

O. Tornblad, U. Lindefelt, B. Breitholtz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 680 KB
english, 1996
10

Time dependent dielectric breakdown characteristics of MOS capacitors with Si-implanted SiO2

Toshihiro Matsuda, Takashi Ohzone, Takashi Hori
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 495 KB
english, 1996
11

Capacitance technique for the determination of interface state density of metal-semiconductor contact

P. Chattopadhyay
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 195 KB
english, 1996
14

An analytical model of GaAs OPFET

P. Chakrabarti, A. Gupta, N.A. Khan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 510 KB
english, 1996
15

Analysis of circuit degradation due to hot-carrier effects in 64Mb DRAMs

Yoonjong Huh, Dooyoung Yang, Yungkwon Sung
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 455 KB
english, 1996
17

On the analysis of C-V curves for high resistivity substrates

M. Estrada del Cueto, A.C. Altuzarra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
english, 1996
20

Peculiarities of the initial stage of Zn diffusion into InP from polymer spin-on films

A.V. Kamanin, I.A. Mokina, N.M. Shmidt
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 312 KB
english, 1996