Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 39; Issue 7

Solid-State Electronics

Volume 39; Issue 7
1

High energy He+ bombardment of n-type InP

V. Sargunas, D.A. Thompson, J.G. Simmons
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 390 KB
english, 1996
2

Effect of Ar addition in ECR CH4/H2/Ar plasma etching of GaAs, InP and InGaP

J.W. Lee, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, W.S. Hobson, F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 299 KB
english, 1996
3

Investigation of the importance of high-level injection in abrupt HBTs

N. Adhikari, M. El Nokali
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
english, 1996
5

Comparison of non-parabolic hydrodynamic simulations for semiconductor devices

A.W. Smith, K.F. Brennan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 771 KB
english, 1996
6

A soft threshold lucky electron model for efficient and accurate numerical device simulation

Chr. Jungemann, R. Thoma, W.L. Engl
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 817 KB
english, 1996
7

A physical model of base resistance from low to high currents for arbitrarily doped submicrometer BJTs

Tsun-Lai Hsu, Jeng Gong, G.M. Hong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 394 KB
english, 1996
8

Measurement and modeling of thin-film accumulation-mode SOI p-MOSFET intrinsic gate capacitances

B. Gentinne, D. Flandre, J.-P. Colinge
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 791 KB
english, 1996
10

Numerical analysis of the transient behavior of the sidegating effect in GaAs MESFETs

Shwu-Jing Chang, Chien-Ping Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
english, 1996
11

1ƒ noise as an electromigration characterization tool for W-plug vias between TiN/AlCu/TiN metallizations

Z. Çelik-Butler
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 486 KB
english, 1996
12

Reliability issues of furnace nitridated oxides prepared with reduced thermal budget in N2O ambient

E. Vincent, C. Papadas, C. Riva, F. Pio, G. Ghibaudo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 447 KB
english, 1996
13

Electrical measurement of silicon film and oxide thicknesses in partially depleted SOI technologies

B.M. Tenbroek, W. Redman-White, M.S.L. Lee, M.J. Uren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 319 KB
english, 1996
14

Modeling of hot-carrier stressed characteristics of submicrometer pMOSFETs

Sheng-Lyang Jang, Tz-Hua Tang, Young-Shying Chen, Chorng-Jye Sheu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 628 KB
english, 1996
16

Simulation of forward bias injection in proton irradiated silicon pn-junctions

N. Keskitalo, A. Hallén, F. Masszi, J. Olsson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 699 KB
english, 1996
17

Carrier transport simulation for bulk AlxGa1−xAs with a Γ-L-X band structure based on Lei-Ting balance equations

J.C. Cao, X.L. Lei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 539 KB
english, 1996
20

Comparison of dry etching techniques for InGaP, AlInP and AlGaP

J. Hong, J.W. Lee, C.J. Santana, C.R. Abernathy, E.S. Lambers, S.J. Pearton, W.S. Hobson, F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 282 KB
english, 1996
21

The low-frequency noise behaviour of silicon-on-insulator technologies

E. Simoen, C. Claeys
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.32 MB
english, 1996
22

pn-Junctions in silicon with blocking capabilities beyond 2.5 kV produced by rapid thermal processing

D. Nagel, U. Kuhlmann, R. Sittig
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 614 KB
english, 1996
23

A novel programming method for high speed, low voltage flash E2PROM cells

J. Ranaweera, I. Kalastirsky, E. Gulersen, W.T. Ng, C.A.T. Salama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 784 KB
english, 1996
24

Mobility degradation of inversion layer carriers due to MERIE-type plasma action

E. Atanassova, A. Paskaleva
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 946 KB
english, 1996
25

Modeling and parameter extraction of gate-all-around nMOS/SOI transistors in the linear region

Yun-Shan Chang, Sheng S. Li
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 721 KB
english, 1996