Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 41; Issue 12

Solid-State Electronics

Volume 41; Issue 12
1

High performance pseudomorphic InGaPInGaAs power HEMTs

F. Ren, J.R. Lothian, H.S. Tsai, J.M. Kuo, J. Lin, J.S. Weiner, R.W. Ryan, A. Tate, Y.K. Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 239 KB
english, 1997
3

Optimum Ge profile for base transit time minimization of SiGe HBT

J. Song, J.S. Yuan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 277 KB
english, 1997
4

Measuring and calculating the Hall mobility of semiconductor epitaxial layers by a contactless method

Wang Zongxin, Chu Youling
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 400 KB
english, 1997
5

n-Channel AlSbGaSb modulation-doped field-effect transistors

X. Li, Q. Du, J.B. Héroux, W.I. Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
english, 1997
6

Comparison of high speed DI-LIGBT structures

Ravishankar Sunkavalli, B.Jayant Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 398 KB
english, 1997
7

Modelling and characterization of non-uniform substrate doping

Christophe Lallement, Matthias Bucher, Christian Enz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 428 KB
english, 1997
9

Schottky diode characteristics of Ti on strained-Si

S. Chattopadhyay, L.K. Bera, K. Maharatna, S. Chakrabarti, S. Dhar, S.K. Ray, C.K. Maiti
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 253 KB
english, 1997
10

Stability of hydrogen in ScAlMgO4

C.D. Brandle, F. Ren, R.G. Wilson, J.W. Lee, S.J. Pearton, J.M. Zavada
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 232 KB
english, 1997
11

Hole mobility enhancement in strained-Si p-MOSFETs under high vertical field

Chinmay K. Maiti, L.K. Bera, S.S. Dey, D.K. Nayak, N.B. Chakrabarti
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 690 KB
english, 1997
12

High performance Schottky contacts on Se-doped AlxGa1−xAs by cryogenic processing

L. He
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 333 KB
english, 1997
13

Theory of thermal noise in long-channel MOS transistors operating before saturation

Duheon Song, J.B. Lee, H.S. Mi, Y.J. Park
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 715 KB
english, 1997
15

Charge transport in thick SiO2-based dielectric layers

Sven Kanitz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 689 KB
english, 1997
16

Modulation spectroscopy characterization of InP and GaAs solar cells

R.G. Rodrigues, J.M. Borrego
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 779 KB
english, 1997
17

Influence of the trench corner design on edge termination of UMOS power devices

Naresh Thapar, B.Jayant Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 744 KB
english, 1997
18

Inverse-narrow-width effect of deep sub-micrometer MOSFETs with LOCOS isolation

Samuel K.H. Fung, Mansun Chan, Ping K. Ko
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 495 KB
english, 1997
19

Wet chemical etching survey of III-nitrides

C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, F. Ren, J.C. Zolper, R.J. Shul
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 350 KB
english, 1997
20

A simple analytical model of counter doping in a uniformly and heavily doped channel region of MOSFETS

Kunihiro Suzuki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 712 KB
english, 1997
21

Induced gate noise in MOSFETs revisited: The submicron case

D.P. Triantis, A.N. Birbas, S.E. Plevridis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 444 KB
english, 1997