Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 41; Issue 2

Solid-State Electronics

Volume 41; Issue 2
1

Low resistance ohmic contact to n-GaN with a separate layer method

Y.-F. Wu, W.-N. Jiang, B.P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S.P. Denbaars, U.K. Mishra, B. Wilson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 329 KB
english, 1997
3

Characterization of nitridated layers and their effect on the growth and quality of GaN

K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, S. Minigawa
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 382 KB
english, 1997
6

Heteroepitaxial growth of InN on Si(111) using a GaAs intermediate layer

Akio Yamamoto, Yasuyuki Yamauchi, Mitsugu Ohkubo, Akihiro Hashimoto, Tohru Saitoh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 1997
7

Reactive ion etching of III–V nitrides

S.J. Pearton, R.J. Shul, G.F. Mclane, C. Constantine
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1997
8

MBE grown high quality GaN films and devices

W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, A. Botchkarev, B. Sverdlov, S.N. Mohammad, H. Morkoç
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 317 KB
english, 1997
9

GaN FETs for microwave and high-temperature applications

Steven C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H.B. Dietrich, A.E. Wickenden
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 257 KB
english, 1997
12

Band-gap bowing in Ga1−xInxN alloys

Walter R.L. Lambrecht
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 383 KB
english, 1997
13

Bandgap energy of cubic GaN

H. Okumura, K. Ohta, K. Ando, W.W. Rühle, T. Nagatomo, S. Yoshida
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 235 KB
english, 1997
14

XPS measurement of valence band discontinuity at GaP/GaN heterointerfaces

Hisao Sato, Mihir Ranjan Sarkar, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 205 KB
english, 1997
15

GaNAs grown by gas source molecular beam epitaxy

M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa, K. Hosomi, T. Mozume
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 293 KB
english, 1997
19

Interplay between growth kinetics and material quality of cubic GaN

K.H. Ploog, O. Brandt, H. Yang, J. Menniger, R. Klann
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 220 KB
english, 1997
20

Morphology of twinned GaN grown on (11·0) sapphire substrates

T. Kato, P. Kung, A. Saxler, C.J. Sun, H. Ohsato, M. Razeghi, T. Okuda
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 1997
22

The excitonic bandgap of GaN: Dependence on substrate

B. Monemar, J.P. Bergman, I.A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 189 KB
english, 1997
23

Selective-area regrowth of GaN field emission tips

R.D. Underwood, D. Kapolnek, B.P. Keller, S. Keller, S.P. Denbaars, U.K. Mishra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 177 KB
english, 1997
24

Recessed gate GaN MODFETs

Jinwook Burm, William J. Schaff, Glenn H. Martin, Lester F. Eastman, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 253 KB
english, 1997
26

GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates

H. Okazaki, A. Arakawa, T. Asahi, O. Oda, K. Aiki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 316 KB
english, 1997
27

Semi-empirical tight-binding calculation of the electronic structure of GaP1−xNx (x = 0.25, 0.5, 0.75) alloys

Seiro Miyoshi, Kentaro Onabe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 212 KB
english, 1997
28

First principles calculation of effective mass parameters of GaN

Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 303 KB
english, 1997
30

Photoconductive decay in LCVD/PECVD low temperature grown GaN

Bing Zhou, K.S.A. Butcher, Helen Zou, Xin Li, T.L. Tansley
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 207 KB
english, 1997
31

Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers

Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 299 KB
english, 1997
33

Melt-back etching of GaN

Yawara Kaneko, Norihide Yamada, Tetsuya Takeuchi, Yoshifumi Yamaoka, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 331 KB
english, 1997
34

Photoemission and core absorption studies of indium nitride

Kazutoshi Fukui, Masatake Ichikawa, Akio Yamamoto, Masao Kamada
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 274 KB
english, 1997
36

Influence of the VIII molar ratio on the structural and electronic properties of MOVPE grown GaN

O. Briot, J.P. Alexis, S. Sanchez, B. Gil, R.L. Aulombard
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 253 KB
english, 1997
37

MOCVD growth of InAsN for infrared applications

Hiroyuki Naoi, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 251 KB
english, 1997
38

Optical characterisation of GaN and related materials

B. Monemar, J.P. Bergman, T. Lundström, C.I. Harris, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 1997
39

Critical layer thickness of GaN thin layers embedded in GaAs

Michio Sato
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 240 KB
english, 1997
40

Cubic GaN formation using dimethylhydrazine and an etching method

Seikoh Yoshida, Masahiro Sasaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
english, 1997
42

Gallium incorporation kinetics during gas source molecular beam epitaxy growth of GaN

Keith R. Evans, Ting Lei, Charles R. Jones
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 342 KB
english, 1997
43

Formation and etching of thin nitride layers on GaAs using atomic nitrogen and hydrogen

Toshiki Makimoto, Naoki Kobayashi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 246 KB
english, 1997
44

Stacking mismatch boundaries in GaN: Implications for substrate selection

D.J. Smith, S.-C.Y. Tsen, B.N. Sverdlov, G. Martin, H. Morkoç
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 1997
46

Foreword

Shiro Fujishiro
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 31 KB
english, 1997
47

Preface

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 45 KB
english, 1997
48

Radiative recombination mechanisms in high brightness Nichia blue LEDs

Marek Osiński, Petr G. Eliseev
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 255 KB
english, 1997
49

Author index

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Файл:
PDF, 67 KB
1997
50

Committees

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 31 KB
english, 1997
51

Properties of GaN epitaxial layer grown on (111) MgAl2O4 substrate

Akito Kuramata, Kazuhiko Horino, Kay Domen, Toshiyuki Tanahashi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 1997