Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 42; Issue 6
Main
Solid-State Electronics
Volume 42; Issue 6
Solid-State Electronics
Volume 42; Issue 6
1
A simple approach to the capacitance technique for determination of interface state density of a metal–semiconductor contact
Santosh Pandey
,
S. Kal
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 226 KB
Ваші теги:
english, 1998
2
Explicit formulation of a series resistance correction procedure for MOSFET parameter extraction and its accuracy analysis
G.F Niu
,
J.D Cressler
,
S.J Mathew
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 107 KB
Ваші теги:
english, 1998
3
Interconnection capacitance models for VLSI circuits
Shyh-Chyi Wong
,
Patrick S. Liu
,
Jien-Wen Ru
,
Shi-Tron Lin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 660 KB
Ваші теги:
english, 1998
4
Manufacture of AlGaInP visible light-emitting diodes by MOCVD & VPE
Zeng Qingke
,
Zeng Xianfu
,
Liao Changjun
,
Liu Songhao
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 145 KB
Ваші теги:
english, 1998
5
Modeling gate leakage current in nMOS structures due to tunneling through an ultra-thin oxide
Wei-Kai Shih
,
Everett X. Wang
,
Srinivas Jallepalli
,
Francisco Leon
,
Christine M. Maziar
,
Al F. Tasch Jr.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 536 KB
Ваші теги:
english, 1998
6
Effects of screening on the two-dimensional electron transport properties in modulation doped heterostructures
O. Sen
,
C. Besikci
,
B. Tanatar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 376 KB
Ваші теги:
english, 1998
7
Dielectric relaxation of amorphous and textured MIS-capacitor thin films
Floirán Fernández-Gutiérrez
,
O Sánchez Garrido
,
M Hernández-Vélez
,
R.M Bueno
,
J.M Martı́nez-Duart
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
Ваші теги:
english, 1998
8
Influence of external bias on photoelectric properties of silicon MIS/IL structures
V.Yu. Yerokhov
,
I.I. Melnyk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 459 KB
Ваші теги:
english, 1998
9
Electrical characterization of anodically grown native oxide on GaInSb
H.X Yuan
,
D Grubisic
,
T.T.S Wong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 381 KB
Ваші теги:
english, 1998
10
Low-frequency 1/f noise model for short-channel LDD MOSFETs
Sheng-Lyang Jang
,
Heng-Kuen Chen
,
Man-Chun Hu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 443 KB
Ваші теги:
english, 1998
11
Plasma charging damage during over-etch time of aluminum
Hyungcheol Shin
,
Geunsook Park
,
Chenming Hu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 209 KB
Ваші теги:
english, 1998
12
On the anomalous behavior of the relative amplitude of RTS noise
L.K.J. Vandamme
,
D. Sodini
,
Z. Gingl
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
Ваші теги:
english, 1998
13
Impact of energy band-gap grading on responsivity of an AlxGa1−xN ultraviolet p–n detector
M.J. Malachowski
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 196 KB
Ваші теги:
english, 1998
14
Improved reliability of NO treated NH3-nitrided oxide with regard to O2 annealing
M.K Mazumder
,
A Teramoto
,
M Sekine
,
S Kawazu
,
H Koyama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 354 KB
Ваші теги:
english, 1998
15
Single contact electron beam induced currents (SCEBIC) in semiconductor junctions. Part I: Quantitative verification of SCEBIC model
S. Kolachina
,
J.C.H. Phang
,
D.S.H. Chan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 307 KB
Ваші теги:
english, 1998
16
Performance of a p-channel heterojunction fet with p+-GaAs selectively grown contact layers for GaAs complementary ICs
Naoki Furuhata
,
Masahiro Fujii
,
Shuji Asai
,
Tadashi Maeda
,
Yasuo Ohno
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.01 MB
Ваші теги:
english, 1998
17
Multiple-cell square-type layout design for output transistors in submicron CMOS technology to save silicon area
Ming-Dou Ker
,
Chung-Yu Wu
,
Chien-Chang Huang
,
Tung-Yang Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.28 MB
Ваші теги:
english, 1998
18
The small signal AC impedance of a short p–n junction diode
G. Garcia-Belmonte
,
J. Bisquert
,
V. Caselles
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 176 KB
Ваші теги:
english, 1998
19
IMPATT oscillations in fast recovery diodes due to temporarily charged radiation-induced deep levels
J. Lutz
,
W. Südkamp
,
W. Gerlach
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 381 KB
Ваші теги:
english, 1998
20
Threshold voltage and charge control considerations in double quantum wellSi/Si1−xGex p-type MOSFETs
M.Y.A. Yousif
,
O. Nur
,
O. Chretien
,
Y. Fu
,
M. Willander
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 316 KB
Ваші теги:
english, 1998
21
Device degradation during low temperature ECR-CVD. Part I: GaAs MESFETs
J.W. Lee
,
K.D. MacKenzie
,
D. Johnson
,
R.J. Shul
,
S.J. Pearton
,
C.R. Abernathy
,
F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 485 KB
Ваші теги:
english, 1998
22
Device degradation during low temperature ECR-CVD. Part II: GaAs/AlGaAs HBTs
J.W. Lee
,
K.D. MacKenzie
,
D. Johnson
,
R.J. Shul
,
S.J. Pearton
,
C.R. Abernathy
,
F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 360 KB
Ваші теги:
english, 1998
23
Low temperature ECR-CVD of SiNX for III-V device passivation
J.W Lee
,
K MacKenzie
,
D Johnson
,
R.J Shul
,
S.J Pearton
,
F Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 220 KB
Ваші теги:
english, 1998
24
Schottky barrier heights of In0.5(AlxGa1−x)0.5P (0≤x≤1) lattice matched to GaAs
Y.C Wang
,
J.M Kuo
,
F Ren
,
J.R Lothian
,
W.E Mayo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 337 KB
Ваші теги:
english, 1998
25
High frequency CV measurements of SiC MOS capacitors
S Berberich
,
P Godignon
,
M.L Locatelli
,
J Millán
,
H.L Hartnagel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 309 KB
Ваші теги:
english, 1998
26
Polarization control in vertical-cavity surface emitting laser using uniaxial stress
Achyut Kumar Dutta
,
Kenichi Kasahara
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 281 KB
Ваші теги:
english, 1998
27
InSb infrared p–i–n photodetectors grown on GaAs coated Si substrates by molecular beam epitaxy
Ahmet Tevke
,
Cengiz Besikci
,
Chris Van Hoof
,
G. Borghs
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 394 KB
Ваші теги:
english, 1998
28
An optical technique to measure the bulk lifetime and the surface recombination velocity in silicon samples based on a laser diode probe system
A Cutolo
,
S Daliento
,
A Sanseverino
,
G.F Vitale
,
L Zeni
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 183 KB
Ваші теги:
english, 1998
29
Device degradation during low temperature ECR-CVD. PART III: GaAs/InGaP HEMTs
J.W Lee
,
K.D MacKenzie
,
D Johnson
,
R.J Shul
,
S.J Pearton
,
C.R Abernathy
,
F Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 285 KB
Ваші теги:
english, 1998
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
