Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 43; Issue 11

Solid-State Electronics

Volume 43; Issue 11
1

A review of narrow-channel effects for STI MOSFET's: A difference between surface- and buried-channel cases

Naoyuki Shigyo, Takayuki Hiraoka
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 299 KB
english, 1999
2

Characterization of mechanical damage on structural and electrical properties of silicon wafers

Chi-Young Choi, Joon-Hyung Lee, Sang-Hee Cho
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 784 KB
english, 1999
3

Improvement of oxynitride reliability by two-step N2O nitridation

Kuei-Shu Chang-Liao, Jang-Ming Ku
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 111 KB
english, 1999
4

Reliability considerations in scaled SONOS nonvolatile memory devices

Yang (Larry) Yang, Ansha Purwar, Marvin H. White
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 202 KB
english, 1999
6

Trade-off and process consideration for scalable poly-Si buffered LOCOS technology

M.H. Juang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 146 KB
english, 1999
7

First demonstration of the gain switching characteristics of an AlGaAs–GaAs V-grooved quantum wire laser

T.G. Kim, Y. Suzuki, M. Shimiz, M. Ogura
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 122 KB
english, 1999
8

Nitrogen in ultra-thin gate oxides: its profile and functions

Shou Mian Chen, Suk-Yin Flora Ip
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 163 KB
english, 1999
9

Minimum lateral extension of planar junction terminations

U. Kuhlmann, R. Sittig
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 128 KB
english, 1999
10

Transparent ZnO ohmic contact on semi-insulating GaAs

V. Palumbo, A. Valentini, A. Cola, F.M. Quaranta
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 139 KB
english, 1999
11

On the subthreshold swing and short channel effects in single and double gate deep submicron SOI-MOSFETs

E. Rauly, O. Potavin, F. Balestra, C. Raynaud
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 145 KB
english, 1999
12

Effect of dogbone geometry on source/drain resistance in narrow-width MOSFETs

A.J Scholten, D.B.M Klaassen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 202 KB
english, 1999
14

A simpler method for extracting solar cell parameters using the conductance method

Z Ouennoughi, M Chegaar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 124 KB
english, 1999
16

Indium tin oxide ohmic contact to highly doped n-GaN

J.K. Sheu, Y.K. Su, G.C. Chi, M.J. Jou, C.C. Liu, C.M. Chang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 113 KB
english, 1999
18

A semi-empirical simulation model for polycrystalline thin film transistors

S.W. Wright, M.J. Lee, P.K. Roberts, C.P. Judge
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 172 KB
english, 1999