Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 43; Issue 2

Solid-State Electronics

Volume 43; Issue 2
1

Electrical properties of Cr/Si(p) structures

N Benouattas, B Tamaarat, A Bouabellou, R Halimi, A Mosser
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 413 KB
english, 1999
2

The effect of mode guiding in edge emitting electroluminescent GaInAsP/InP diodes

K. Starosta, J. Zavadil
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
english, 1999
3

Simulation, fabrication and characterization of a 3.3 V flash ZE2PROM array implemented in a 0.8 μm CMOS process

J Ranaweera, W.T Ng, C.A.T Salama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.11 MB
english, 1999
4

Measurement of carrier generation lifetime in SOI devices

Hyungcheol Shin, M. Racanelli, W.M. Huang, J. Foerstner, Taekeun Hwang, D.K. Schroder
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 346 KB
english, 1999
5

On the transit time of polysilicon emitter transistors

Sukla Basu, R.N. Mitra, A.N. Daw
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 575 KB
english, 1999
6

Analysis and optimization of the planar 6H-SiC ACCUFET

Praveen M. Shenoy, B.Jayant Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.82 MB
english, 1999
7

Two-dimensional simulation for the GaAs V-groove gate MESFET's

Y.J. Wang, S.S. Lu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.40 MB
english, 1999
8

Scaling of gate length in ultra-short channel heterostructure field effect transistors

Jaeheon Han, David K. Ferry
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 465 KB
english, 1999
9

Temperature dependence of hole impact ionization coefficients in 4H and 6H-SiC

R. Raghunathan, B.J. Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 975 KB
english, 1999
10

Effect of multiple scans and granular defects on excimer laser annealed polysilicon TFTs

Aaron M Marmorstein, Apostolos T Voutsas, Raj Solanki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 431 KB
english, 1999
11

Numerical modelling of stress-induced failure in sub-micron aluminium interconnects in VLSI systems

P.M. Igic, P.A. Mawby
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 343 KB
english, 1999
13

Enhancing the maximum controllable current density of the accumulation channel driven bipolar transistor

Naresh Thapar, B.Jayant Baliga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.10 MB
english, 1999
14

Electrical behaviour of metal/tetrahedral amorphous carbon/metal structure

E. Liu, X. Shi, L.K. Cheah, Y.H. Hu, H.S. Tan, J.R. Shi, B.K. Tay
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 370 KB
english, 1999
15

Active equivalent network for states at the Al/InPO4 interface

S.N. Al-Refaie
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 619 KB
english, 1999
16

Tunnel-fluctuation model of the MIS admittance

E.N. Bormontov, S.V. Lukin, R.S. Nakhmanson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 954 KB
english, 1999
17

On the degradation kinetics of thin oxide layers

A. Scarpa, G. Pananakakis, G. Ghibaudo, A. Paccagnella, G. Ghidini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 301 KB
english, 1999
18

Design of dynamic-floating-gate technique for output ESD protection in deep-submicron CMOS technology

Hun-Hsien Chang, Ming-Dou Ker, Jiin-Chuan Wu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
english, 1999
19

Soft recovery of power diodes by means of field controlled injection

K.T. Kaschani, R. Sittig
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 652 KB
english, 1999
20

Simulation of silicon carbide power MOSFETs at high temperature

S.F Shams, K.B Sundaram, L.C Chow
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 320 KB
english, 1999
21

Effect of surface treatment by KOH solution on ohmic contact formation of p-type GaN

Jong-Lam Lee, Jong Kyu Kim, Jae Won Lee, Yong Jo Park, Taeil Kim
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 234 KB
english, 1999
23

Analytical expressions of base transit time for SiGe HBTs with retrograde base profiles

K.H. Kwok
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 391 KB
english, 1999
25

A simple analytical model of thermal oxidation of silicon

N.F. Rinaldi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 155 KB
english, 1999
26

Modelling of collector signal delay effects in bipolar transistors

NiccolòF. Rinaldi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 271 KB
english, 1999
28

Concepts of light emission from a silicon MOS tunnel emitter Auger transistor

I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 398 KB
english, 1999
30

Empirical pseudopotential band structure of In0.53Ga0.47As and In0.52Al0.48As

R. Dittrich, W. Schroeder
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 197 KB
english, 1999
31

Microwave characteristics of BARITT diodes based on silicon carbide

V.M. Aroutiounian, V.V. Buniatian, P. Soukiassian
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 241 KB
english, 1999