Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 45; Issue 1
Main
Solid-State Electronics
Volume 45; Issue 1
Solid-State Electronics
Volume 45; Issue 1
1
Current model considering oxide thickness non-uniformity in a MOS tunnel structure
M.I. Vexler
,
A.F. Shulekin
,
Ch. Dieker
,
V. Zaporojtschenko
,
H. Zimmermann
,
W. Jäger
,
I.V. Grekhov
,
P. Seegebrecht
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 275 KB
Ваші теги:
english, 2001
2
Inductively coupled high-density plasma-induced etch damage of GaN MESFETs
R.J Shul
,
L Zhang
,
A.G Baca
,
C.G Willison
,
J Han
,
S.J Pearton
,
K.P Lee
,
F Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 208 KB
Ваші теги:
english, 2001
3
Ultimate parameters of Hg1–xCdxTe and InAs1–xSbx n+–p photodiodes
T Niedziela
,
R Ciupa
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 156 KB
Ваші теги:
english, 2001
4
Comparison of MOSFET-threshold-voltage extraction methods
Kazuo Terada
,
Katsuhiko Nishiyama
,
Kei-Ichi Hatanaka
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
Ваші теги:
english, 2001
5
Emitter structure of power heterojunction bipolar transistor for enhancement of thermal stability
J.G. Lee
,
T.K. Oh
,
B. Kim
,
B.K. Kang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 144 KB
Ваші теги:
english, 2001
6
A physically-based semi-empirical effective mobility model for MOSFET compact I–V modeling
K.Y. Lim
,
X. Zhou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 173 KB
Ваші теги:
english, 2001
7
A novel multi-level interconnect scheme with air as low K inter-metal dielectric for ultradeep submicron application
Chung-Hui Chen
,
Yean-Kuen Fang
,
Chun-Sheng Lin
,
Chih-Wei Yang
,
Jang-Cheng Hsieh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 510 KB
Ваші теги:
english, 2001
8
A ‘channel’ design using single, semiconductor nanocrystals for efficient (opto)electronic devices
J.S. Salafsky
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 154 KB
Ваші теги:
english, 2001
9
Electrical characterization of ONO triple dielectric in SONOS nonvolatile memory devices
Jiankang Bu
,
Marvin H White
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 156 KB
Ваші теги:
english, 2001
10
Experimental investigation of factors influencing design of small-signal CMOS amplifiers
Emerson Vernon
,
Damian Bryson
,
Abhishek Motayed
,
S Noor Mohammad
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 225 KB
Ваші теги:
english, 2001
11
Thermal effect on electromigration performance for Al/SiO2, Cu/SiO2 and Cu/low-K interconnect systems
W. Wu
,
S.H. Kang
,
J.S. Yuan
,
A.S. Oates
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 115 KB
Ваші теги:
english, 2001
12
Channel engineering using RTA prior to the gate oxidation for high density DRAM with single gate CMOS technology
Jeong-Hwan Son
,
Seung-Ho Lee
,
Joon-Sung Lee
,
Youngjong Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 276 KB
Ваші теги:
english, 2001
13
Monolithic integration of low voltage devices in 3 kV planar MOS controlled power devices
C.K. Ngw
,
M. Sweet
,
J.V. Subhas Chandra Bose
,
O. Spulber
,
N. Luther King
,
K. Vershinin
,
M.M. De Souza
,
E.M. Sankara Narayanan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 262 KB
Ваші теги:
english, 2001
14
Physical parameters of the quantum mechanical interference method for the determination of oxide thickness in MOS devices
H. Katto
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 197 KB
Ваші теги:
english, 2001
15
Analysis of surface and interface charge interactions in silicon on insulator (SOI) substrates
L. Lukasiak
,
P. Roman
,
A. Jakubowski
,
J. Ruzyllo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 248 KB
Ваші теги:
english, 2001
16
Low dark current far infrared detector with an optical cavity architecture
A.L Korotkov
,
A.G.U Perera
,
W.Z Shen
,
H.C Liu
,
M Buchanan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 406 KB
Ваші теги:
english, 2001
17
Analytical model of three-dimensional effect on voltage and edge peak field distributions and optimal space for planar junction with a single field limiting ring
Jin He
,
Ru Huang
,
Xing Zhang
,
Yang Yuan Wang
,
X.B. Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
Ваші теги:
english, 2001
18
Extraction of Schottky diode parameters with a bias dependent barrier height
V. Mikhelashvili
,
G. Eisenstein
,
R. Uzdin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 263 KB
Ваші теги:
english, 2001
19
Barrier capability of TaNx films deposited by different nitrogen flow rate against Cu diffusion in Cu/TaNx/n+–p junction diodes
Wen Luh Yang
,
Wen-Fa Wu
,
Don-Gey Liu
,
Chi-Chang Wu
,
Keng Liang Ou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 382 KB
Ваші теги:
english, 2001
20
Electrical transport characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge at low temperatures
M.K Hudait
,
P Venkateswarlu
,
S.B Krupanidhi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 251 KB
Ваші теги:
english, 2001
21
Design considerations in scaled SONOS nonvolatile memory devices
Jiankang Bu
,
Marvin H White
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 220 KB
Ваші теги:
english, 2001
22
Impact of gamma irradiation on the RF phase noise capability of UHV/CVD SiGe HBTs
Guofu Niu
,
Jean B Juraver
,
Mattia Borgarino
,
Zhenrong Jin
,
John D Cressler
,
Robert Plana
,
Olivier Llopis
,
Suraj Mathew
,
Shiming Zhang
,
Steve Clark
,
Alvin J Joseph
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 200 KB
Ваші теги:
english, 2001
23
Effect of rapid-thermal-annealed TiN barrier layer on the Pt/BST/Pt capacitors prepared by RF magnetron co-sputter technique at low substrate temperature
Chuan-Chou Hwang
,
Miin-Horng Juang
,
Ming-Jiunn Lai
,
Cheng-Chung Jaing
,
Jyh-Shin Chen
,
Stewart Huang
,
Huang-Chung Cheng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 256 KB
Ваші теги:
english, 2001
24
The breakdown voltage of unguarded and field plate guarded silicon detector diodes
G.A. Beck
,
A.A. Carter
,
J.R. Carter
,
N.M. Greenwood
,
A.D. Lucas
,
D.J. Munday
,
T.W. Pritchard
,
D. Robinson
,
C.D. Wilburn
,
K.H. Wyllie
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 375 KB
Ваші теги:
english, 2001
25
A dynamic n-buffer insulated gate bipolar transistor
S Huang
,
K Sheng
,
F Udrea
,
G.A.J Amaratunga
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 380 KB
Ваші теги:
english, 2001
26
The 6.5 kV clustered insulated gate bipolar transistor in homogeneous base technology
N Luther-King
,
M Sweet
,
O Spulber
,
K Vershinin
,
C.K Ngw
,
S.C Bose
,
M.M De Souza
,
E.M Sankara Narayanan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 358 KB
Ваші теги:
english, 2001
27
An analytical model for space-charge region capacitance based on practical doping profiles under any bias conditions
Pingxi Ma
,
Martin Linder
,
Martin Sanden
,
Shi-Li Zhang
,
Mikael Östling
,
M.-C. Frank Chang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
Ваші теги:
english, 2001
28
A process simplification scheme for fabricating self-aligned silicided trench-gate power MOSFETs
M.H Juang
,
L.C Sun
,
W.T Chen
,
C.I Ou-Yang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 122 KB
Ваші теги:
english, 2001
29
List of Reviewers
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Файл:
PDF, 34 KB
Ваші теги:
2001
30
Publisher's note
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 23 KB
Ваші теги:
english, 2001
31
Editorial
F.M Klaassen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 26 KB
Ваші теги:
english, 2001
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×