Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 45; Issue 7

Solid-State Electronics

Volume 45; Issue 7
1

Quantum mechanics prescriptions for compound-semiconductor transistor technologies

R. Anholt
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 169 KB
english, 2001
2

Optoelectronic switch performance in double heterostructure-emitter bipolar transistor

Der-Feng Guo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 89 KB
english, 2001
4

Characteristics of LiNbO3 memory capacitors fabricated using a low thermal budget process

D.G Lim, B.S Jang, S.I Moon, C.Y Won, J Yi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 165 KB
english, 2001
5

Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films

L.S. Wang, W.K. Fong, C. Surya, K.W. Cheah, W.H. Zheng, Z.G. Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 103 KB
english, 2001
6

Epitaxial GaN films grown on Si(1 1 1) with varied buffer layers

H.M. Liaw, R. Venugopal, J. Wan, M.R. Melloch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 272 KB
english, 2001
7

Study of radiation induced resistance mechanisms in GaAs MESFET and TLM structures

B. Luo, J.W. Johnson, D. Schoenfeld, S.J. Pearton, F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 222 KB
english, 2001
9

Epitaxial layer sheet resistance outside and under ohmic contacts measurements using electrostatic force microscopy

J.F. Bresse, S. Blayac
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 2001
10

Electrical characterization of ultrathin oxides of silicon grown by wet oxidation at 800°C

V.K Bhat, K.N Bhat, A Subrahmanyam
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2001
11

On theory of 1/f noise in semiconductors

E. Borovitskaya, M.S. Shur
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 73 KB
english, 2001
13

Effect of temperature dependence of band gap and device constant on I–V characteristics of junction diode

Y.B. Acharya
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 132 KB
english, 2001
16

Dynamic triggering characteristics of SCR-type electrostatic discharge protection circuits

Sheng-Lyang Jang, Lien-Sheng Lin, Shao-Hua Li, Hwan-Mei Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
english, 2001
19

SiC planar MOS-Schottky diode: a high voltage Schottky diode with low leakage current

Q. Zhang, V. Madangarli, T.S. Sudarshan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 293 KB
english, 2001
21

Deep level investigation in AlGaAs/InGaAs/GaAs cryoelectronic MODFET

I. Dermoul, F. Chekir, M. Ben Salem, A. Kalboussi, H. Maaref
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 432 KB
english, 2001
22

A segmented anode, npn controlled lateral insulated gate bipolar transistor

S. Hardikar, Y.Z. Xu, M.M. De Souza, E.M. Sankara Narayanan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 221 KB
english, 2001
23

Strained Si/SiGe quantum well MODFETs for cryogenic circuit applications

M.J. Rack, T.J. Thornton, D.K. Ferry, J. Huffman, R. Westhoff
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 108 KB
english, 2001