Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 46; Issue 12
Main
Solid-State Electronics
Volume 46; Issue 12
Solid-State Electronics
Volume 46; Issue 12
1
High-speed limitations of the metal-semiconductor-metal photodiode structures with submicron gap between the interdigitated contacts
S Averine
,
O Bondarenko
,
R Sachot
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 152 KB
Ваші теги:
english, 2002
2
Study of novel techniques for reducing self-heating effects in SOI power LDMOS
J Roig
,
D Flores
,
S Hidalgo
,
M Vellvehi
,
J Rebollo
,
J Millán
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 639 KB
Ваші теги:
english, 2002
3
Intrinsic inversion charge in the mobility region of fully depleted SOI-MOSFETs
Maciej Wiatr
,
Peter Seegebrecht
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
Ваші теги:
english, 2002
4
A new empirical large-signal model for enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs
C.K Lin
,
W.K Wang
,
Y.J Chan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 559 KB
Ваші теги:
english, 2002
5
High-power and low-threshold-current operation of 1.3 μm strain-compensated AlGaInAs/AlGaInAs multiple-quantum-well laser diodes
Po-Hsun Lei
,
Ming-Yuan Wu
,
Chia-Chien Lin
,
Wen-Jeng Ho
,
Meng-Chyi Wu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 138 KB
Ваші теги:
english, 2002
6
Equilibrium boundary conditions in the double heterostructure opto-electronic switch
J. Cai
,
G.W. Taylor
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 327 KB
Ваші теги:
english, 2002
7
Composition induced design considerations for InP/GaxIn1−xAs heterojunction bipolar transistors
S.Noor Mohammad
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 235 KB
Ваші теги:
english, 2002
8
An analytical model for charge pumping below strong inversion and accumulation
D Bauza
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 144 KB
Ваші теги:
english, 2002
9
A study of noise in surface and buried channel SiGe MOSFETs with gate oxide grown by low temperature plasma anodization
N.B Lukyanchikova
,
M.V Petrichuk
,
N.P Garbar
,
L.S Riley
,
S Hall
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 536 KB
Ваші теги:
english, 2002
10
Interface properties and deep levels in InGaAsN/GaAs and GaAsN/GaAs heterojunctions
A.Y Polyakov
,
N.B Smirnov
,
A.V Govorkov
,
Andrei E Botchkarev
,
Nicole N Nelson
,
M.M.E Fahmi
,
James A Griffin
,
Arif Khan
,
S Noor Mohammad
,
D.K Johnstone
,
V.T Bublik
,
K.D Chsherbatchev
,
M.I Voronova
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 131 KB
Ваші теги:
english, 2002
11
Optical properties and defects in GaAsN and InGaAsN films and quantum well structures
A.Y Polyakov
,
N.B Smirnov
,
A.V Govorkov
,
A.E Botchkarev
,
N.N Nelson
,
M.M.E Fahmi
,
J.A Griffin
,
A Khan
,
S Noor Mohammad
,
D.K Johnstone
,
V.T Bublik
,
K.D Chsherbatchev
,
M.I Voronova
,
V.S Kasatochkin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 250 KB
Ваші теги:
english, 2002
12
Studies of deep centers in dilute GaAsN and InGaAsN films grown by molecular beam epitaxy
A.Y Polyakov
,
N.B Smirnov
,
A.V Govorkov
,
Andrei E Botchkarev
,
Nicole N Nelson
,
M.M.E Fahmi
,
James A Griffin
,
Arif Khan
,
S Noor Mohammad
,
D.K Johnstone
,
V.T Bublik
,
K.D Chsherbatchev
,
M.I Voronova
,
V.S
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 231 KB
Ваші теги:
english, 2002
13
Electrical properties and deep levels in bulk solution grown GaAs crystal
A.V Markov
,
A.Y Polyakov
,
N.B Smirnov
,
A.V Govorkov
,
V.I Biberin
,
N.S Korovin
,
V.N Gavrin
,
G.D Efimov
,
A.V Kalikhov
,
Y.P Kozlova
,
E.P Veretenkin
,
V.K Eremin
,
E.M Verbitskaya
,
T.J Bowles
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
Ваші теги:
english, 2002
14
Schottky barrier height of a new ohmic contact NiSi2 to n-type 6H-SiC
Tomonori Nakamura
,
Masataka Satoh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 174 KB
Ваші теги:
english, 2002
15
Deep center passivation in 3C-SiC by hydrogen plasma with a grid for damage suppression
M Kato
,
F Sobue
,
M Ichimura
,
E Arai
,
N Yamada
,
Y Tokuda
,
T Okumura
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
Ваші теги:
english, 2002
16
High-speed Si-based metal-semiconductor-metal photodetectors with an additional composition-graded i-a-Si1−xGex:H layer
Cha-Shin Lin
,
Rong-Hwei Yeh
,
Chun-Hao Liao
,
Jyh-Wong Hong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 186 KB
Ваші теги:
english, 2002
17
Extraction method for polycrystalline TFT above and below threshold model parameters
M. Estrada
,
A. Cerdeira
,
A. Ortiz-Conde
,
F.J. Garcı́a Sanchez
,
B. Iñiguez
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
Ваші теги:
english, 2002
18
High current bulk GaN Schottky rectifiers
K Ip
,
K.H Baik
,
B Luo
,
F Ren
,
S.J Pearton
,
S.S Park
,
Y.J Park
,
A.P Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 228 KB
Ваші теги:
english, 2002
19
Mb/s data transmission over a RF fiber-optic link using a LiNbO3 microdisk modulator
M Hossein-Zadeh
,
A.F.J Levi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 395 KB
Ваші теги:
english, 2002
20
A new process to improve the performance of 850 nm wavelength GaAs VCSELs
Wen-Jang Jiang
,
Lung-Chien Chen
,
Meng-Chyi Wu
,
Hsin-Chieh Yu
,
Hung-Pin Yang
,
Chia-Pin Sung
,
Jim-Yong Chi
,
Chun-Yuan Huang
,
Yi-Tsuo Wu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 164 KB
Ваші теги:
english, 2002
21
Investigation of radiative tunneling in GaN/InGaN single quantum well light-emitting diodes
X.A Cao
,
S.F LeBoeuf
,
K.H Kim
,
P.M Sandvik
,
E.B Stokes
,
A Ebong
,
D Walker
,
J Kretchmer
,
J.Y Lin
,
H.X Jiang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
Ваші теги:
english, 2002
22
GaN p–n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN
M.L Lee
,
J.K Sheu
,
L.S Yeh
,
M.S Tsai
,
C.J Kao
,
C.J Tun
,
S.J Chang
,
G.C Chi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
Ваші теги:
english, 2002
23
Numerical modeling of parasitic barrier formation at the SiGe/Si heterojunction due to p–n junction displacement
A Breed
,
K.P Roenker
,
D Todorova
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 235 KB
Ваші теги:
english, 2002
24
Design of 0.1-μm pocket n-MOSFETs for low-voltage applications
Yon-Sup Pang
,
John R Brews
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 362 KB
Ваші теги:
english, 2002
25
Unclamped inductive switching behaviour of high power SOI vertical DMOS transistors with lateral drain contacts
Kuntjoro Pinardi
,
Ulrich Heinle
,
Stefan Bengtsson
,
Jörgen Olsson
,
Jean-Pierre Colinge
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 276 KB
Ваші теги:
english, 2002
26
Optimised n-channel Si/SiGe HFETs design for VTH shift immunity
W Jeamsaksiri
,
J.E Velázquez
,
K Fobelets
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 110 KB
Ваші теги:
english, 2002
27
The role of cleaning conditions and epitaxial layer structure on reliability of Sc2O3 and MgO passivation on AlGaN/GaN HEMTS
B Luo
,
R.M Mehandru
,
Jihyun Kim
,
F Ren
,
B.P Gila
,
A.H Onstine
,
C.R Abernathy
,
S.J Pearton
,
R.C Fitch
,
J Gillespie
,
R Dellmer
,
T Jenkins
,
J Sewell
,
D Via
,
A Crespo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 670 KB
Ваші теги:
english, 2002
28
InGaN/GaN MQW p–n junction photodetectors
Yu-Zung Chiou
,
Yan-Kuin Su
,
Shoou-Jinn Chang
,
Yi-Chao Lin
,
Chia-Sheng Chang
,
Chin-Hsiang Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 179 KB
Ваші теги:
english, 2002
29
Low-frequency noise analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs
P.W Li
,
W.M Liao
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 224 KB
Ваші теги:
english, 2002
30
Skin effect of on-chip copper interconnects on electromigration
W Wu
,
J.S Yuan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 136 KB
Ваші теги:
english, 2002
31
Effect of surface preparation on Ni Ohmic contact to 3C-SiC
Jae Il Noh
,
Kee Suk Nahm
,
Kwang Chul Kim
,
Michael A Capano
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 424 KB
Ваші теги:
english, 2002
32
4H-SiC metal–semiconductor–metal ultraviolet photodetectors with Ni/ITO electrodes
Yan-Kuin Su
,
Yu-Zung Chiou
,
Chia-Sheng Chang
,
Shoou-Jinn Chang
,
Yi-Chao Lin
,
Jone F Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 212 KB
Ваші теги:
english, 2002
33
Characterization of ultralow voltage, fully depleted silicon on insulator CMOS device and circuit technology
Huiling Shang
,
Marvin H White
,
Dennis A Adams
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
Ваші теги:
english, 2002
34
The effects of NO passivation on the radiation response of SiO2/4H-SiC MOS capacitors
Tianbing Chen
,
Zhiyun Luo
,
John D Cressler
,
Tamara F Isaacs-Smith
,
John R Williams
,
Gilyong Chung
,
Steve D Clark
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 286 KB
Ваші теги:
english, 2002
35
A simple analytical model for the dependence of the propagation delay of the polycrystalline silicon CMOS inverter on temperature
Themis Afentakis
,
Miltiadis Hatalis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 184 KB
Ваші теги:
english, 2002
36
A compact large signal model of LDMOS
C.W Tang
,
K.Y Tong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 153 KB
Ваші теги:
english, 2002
37
ESD protection device design using statistical methods
N Shigyo
,
H Kawashima
,
S Yasuda
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 241 KB
Ваші теги:
english, 2002
38
The performance of GaAs power MESFET’s using backside copper metallization
Chang-You Chen
,
Li Chang
,
Edward Yi Chang
,
Szu-Houng Chen
,
Yueh-Chin Lin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 388 KB
Ваші теги:
english, 2002
39
A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel: Part I. Drain current and body charge
S. Persson
,
P.-E. Hellberg
,
S.-L. Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 177 KB
Ваші теги:
english, 2002
40
A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel: Part II. Charges and intrinsic capacitances
S. Persson
,
P.-E. Hellberg
,
S.-L. Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 266 KB
Ваші теги:
english, 2002
41
The mechanism for the formation of slug flow in vertical gas–liquid two-phase flow
Baojiang Sun
,
Ruihe Wang
,
Xinxin Zhao
,
Dachun Yan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 250 KB
Ваші теги:
english, 2002
42
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal–organic vapor phase epitaxy
Zhen Chen
,
Hairong Yuan
,
Da-Cheng Lu
,
Xuehao Sun
,
Shouke Wan
,
Xianglin Liu
,
Peide Han
,
Xiaohui Wang
,
Qinsheng Zhu
,
Zhanguo Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 178 KB
Ваші теги:
english, 2002
43
Band alignments in sidewall strained Si/strained SiGe heterostructures
X. Wang
,
D.L. Kencke
,
K.C. Liu
,
L.F. Register
,
S.K. Banerjee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 184 KB
Ваші теги:
english, 2002
44
A simple efficient model of parasitic capacitances of deep-submicron LDD MOSFETs
Fabien Prégaldiny
,
Christophe Lallement
,
Daniel Mathiot
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 186 KB
Ваші теги:
english, 2002
45
Analytical expressions for intermodulation distortion of a MESFET small-signal amplifier using the nonlinear Volterra series
Imad S. Ahmad
,
V.S. Rao Gudimetla
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 291 KB
Ваші теги:
english, 2002
46
Publisher’s note
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 31 KB
Ваші теги:
english, 2002
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
