Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 46; Issue 3
Main
Solid-State Electronics
Volume 46; Issue 3
Solid-State Electronics
Volume 46; Issue 3
1
Design considerations for CMOS near the limits of scaling
David J. Frank
,
Yuan Taur
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 236 KB
Ваші теги:
english, 2002
2
Ultra-thin gate oxide reliability projections
B.E. Weir
,
M.A. Alam
,
P.J. Silverman
,
F. Baumann
,
D. Monroe
,
J.D. Bude
,
G.L. Timp
,
A. Hamad
,
Y. Ma
,
M.M. Brown
,
D. Hwang
,
T.W. Sorsch
,
A. Ghetti
,
G.D. Wilk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 205 KB
Ваші теги:
english, 2002
3
Continued growth in CMOS beyond 0.10 μm
T. Sugii
,
Y. Momiyama
,
K. Goto
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 304 KB
Ваші теги:
english, 2002
4
Secondary impact ionization and device aging in deep submicron MOS devices with various transistor architectures
B. Marchand
,
B. Cretu
,
G. Ghibaudo
,
F. Balestra
,
D. Blachier
,
C. Leroux
,
S. Deleonibus
,
G. Guégan
,
G. Reimbold
,
S. Kubicek
,
K. DeMeyer
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 284 KB
Ваші теги:
english, 2002
5
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
G. Guegan
,
S. Deleonibus
,
C. Caillat
,
S. Tedesco
,
B. Dal’zotto
,
M. Heitzmann
,
M.E. Nier
,
P. Mur
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
Ваші теги:
english, 2002
6
A 20 nm physical gate length NMOSFET with a 1.2 nm gate oxide fabricated by mixed dry and wet hard mask etching
C. Caillat
,
S. Deleonibus
,
G. Guegan
,
M. Heitzmann
,
M.E. Nier
,
S. Tedesco
,
B. Dal'zotto
,
F. Martin
,
P. Mur
,
A.M. Papon
,
G. Lecarval
,
B. Previtali
,
A. Toffoli
,
F. Allain
,
S. Biswas
,
F. Jourdan
,
P. Fugi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 359 KB
Ваші теги:
english, 2002
7
Development of a RF large signal MOSFET model, based on an equivalent circuit, and comparison with the BSIM3v3 compact model
E.P. Vandamme
,
D. Schreurs
,
C. van Dinther
,
G. Badenes
,
L. Deferm
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 184 KB
Ваші теги:
english, 2002
8
1/f noise measurements in n-channel MOSFETs processed in 0.25 μm technology: Extraction of BSIM3v3 noise parameters
Y. Akue Allogo
,
M. de Murcia
,
J.C. Vildeuil
,
M. Valenza
,
P. Llinares
,
D. Cottin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 163 KB
Ваші теги:
english, 2002
9
Reliability of ultra-thin film deep submicron SIMOX nMOSFETs
O. Potavin
,
S. Haendler
,
J. Jomaah
,
F. Balestra
,
C. Raynaud
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 318 KB
Ваші теги:
english, 2002
10
Fringing fields in sub-0.1 μm fully depleted SOI MOSFETs: optimization of the device architecture
T. Ernst
,
C. Tinella
,
C. Raynaud
,
S. Cristoloveanu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 407 KB
Ваші теги:
english, 2002
11
On the origin of the LF noise in Si/Ge MOSFETs
Gérard Ghibaudo
,
Jan Chroboczek
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 205 KB
Ваші теги:
english, 2002
12
Electrical characterization and modeling of MOS structures with an ultra-thin oxide
R. Clerc
,
B. De Salvo
,
G. Ghibaudo
,
G. Reimbold
,
G. Pananakakis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 282 KB
Ваші теги:
english, 2002
13
Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices
Daniele Ielmini
,
Alessandro Sottocornola Spinelli
,
Andrea Leonardo Lacaita
,
Gabriella Ghidini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 158 KB
Ваші теги:
english, 2002
14
Simulation of polysilicon quantization and its effect on n- and p-MOSFET performance
Alessandro S. Spinelli
,
Andrea Pacelli
,
Andrea L. Lacaita
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 197 KB
Ваші теги:
english, 2002
15
Analytical and numerical study of the impact of HALOs on short channel and hot carrier effects in scaled MOSFETs
S. Zanchetta
,
A. Todon
,
A. Abramo
,
L. Selmi
,
E. Sangiorgi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
Ваші теги:
english, 2002
16
Quantum transport in a cylindrical sub-0.1 μm silicon-based MOSFET
S.N. Balaban
,
E.P. Pokatilov
,
V.M. Fomin
,
V.N. Gladilin
,
J.T. Devreese
,
W. Magnus
,
W. Schoenmaker
,
M. Van Rossum
,
B. Sorée
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 731 KB
Ваші теги:
english, 2002
17
Computational investigation of the accuracy of constant-dC scanning capacitance microscopy for ultra-shallow doping profile characterization
Lorenzo Ciampolini
,
Mauro Ciappa
,
Paolo Malberti
,
Wolfgang Fichtner
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 178 KB
Ваші теги:
english, 2002
18
Enhancement of device performance in vertical sub-100 nm MOS devices due to local channel doping
C. Fink
,
K.G. Anil
,
H. Geiger
,
W. Hansch
,
F. Kaesen
,
J. Schulze
,
T. Sulima
,
I. Eisele
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 481 KB
Ваші теги:
english, 2002
19
0.25 μm fully depleted SOI MOSFETs for RF mixed analog-digital circuits, including a comparison with partially depleted devices with relation to high frequency noise parameters
M Vanmackelberg
,
C Raynaud
,
O Faynot
,
J.-L Pelloie
,
C Tabone
,
A Grouillet
,
F Martin
,
G Dambrine
,
L Picheta
,
E Mackowiak
,
P Llinares
,
J Sevenhans
,
E Compagne
,
G Fletcher
,
D Flandre
,
V Dessard
,
D Vanhoe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 547 KB
Ваші теги:
english, 2002
20
Stress induced leakage current under pulsed voltage stress
A. Cester
,
A. Paccagnella
,
G. Ghidini
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
Ваші теги:
english, 2002
21
Foreword
Francis Balestra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 32 KB
Ваші теги:
english, 2002
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×