Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 1

Solid-State Electronics

Volume 48; Issue 1
1

A word from the new Editor

Alex Zaslavsky
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 230 KB
english, 2004
2

Application of tunnel diodes as millimeter cascades oscillator systems

Sanaa A Kamh, F.A.S Soliman
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 517 KB
english, 2004
3

Leff extraction for sub-100 nm MOSFET devices

Qiuyi Ye, Serge Biesemans
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 266 KB
english, 2004
4

Temperature dependence of pnp GaN/InGaN HBT performance

K.P. Lee, A.M. Dabiran, P.P. Chow, A. Osinsky, S.J. Pearton, F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 483 KB
english, 2004
5

RF performance of HVPE-grown AlGaN/GaN HEMTs

M.A. Mastro, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, A. Usikov, V. Dmitriev, B. Luo, F. Ren, K.H. Baik, S.J. Pearton
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 299 KB
english, 2004
6

Thermal stability of WSiX Schottky contacts on n-type 4H-SiC

Jihyun Kim, F. Ren, A.G. Baca, G.Y. Chung, S.J. Pearton
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 351 KB
english, 2004
7

Comprehensive noise performance of ultrathin oxide MOSFETs at low frequencies

Jonghwan Lee, Gijs Bosman
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 503 KB
english, 2004
8

Growth of semiconducting KTaO3 thin films

H.-J. Bae, J. Sigman, S.-J. Park, Y.-H. Heo, L.A. Boatner, D.P. Norton
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 331 KB
english, 2004
9

A closed-loop system for the measurement of self-heating in BJTs

T.H. O’Dell
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
english, 2004
10

Electrical characteristics of ultra-thin gate oxides (

Zhi-Hao Chen, Szu-Wei Huang, Jenn-Gwo Hwu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 333 KB
english, 2004
11

Fabrication and characterization of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) field-effect transistors

Guirong Liang, Tianhong Cui
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
english, 2004
12

A fully integrated 2.4 GHz class-E amplifier with a 63% PAE by 0.18 μm CMOS technologies

Chien-Chih Ho, Chin-Wei Kuo, Chao-Chih Hsiao, Yi-Jen Chan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 474 KB
english, 2004
13

Sensitivity of frequency characteristics of semiconductor devices to random doping fluctuations

Petru Andrei, Isaak Mayergoyz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 2004
14

Modeling and parameter extraction procedure for nanocrystalline TFTs

A. Cerdeira, M. Estrada, B. Iñiguez, J. Pallares, L.F. Marsal
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 373 KB
english, 2004
15

High-performance AlInAs/GaInAs δ-doped HEMT with negative differential resistance switch for logic application

Jung-Hui Tsai
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 310 KB
english, 2004
16

Transconductance frequency dispersion measurements on fully implanted 4H-SiC MESFETs

Souvick Mitra, Mulpuri V. Rao, Kenneth A. Jones
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 345 KB
english, 2004
17

A new self-defined empirical large-signal model for enhancement-mode AlGaAs/InGaAs pHEMTs

Wen-Kai Wang, Chen-Kuo Lin, Chin-Chang Wu, Yu-Jen Li, Yi-Jen Chan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 373 KB
english, 2004
18

Ultrathin oxynitride films on strained SiGe layers by a three-step NO/O2/NO process

S.K. Samanta, S. Chatterjee, S. Maikap, C.K. Maiti
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 359 KB
english, 2004
19

Modeling and characterization of capacitive coupling in trench-isolated structures on SOI substrates

Ulrich Heinle, Lars Vestling, Jörgen Olsson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 396 KB
english, 2004
20

A detailed theoretical and experimental noise study in n-on-p Hg0.68Cd0.32Te photodiodes

K. Józwikowski, C.A. Musca, L. Faraone, A. Józwikowska
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 368 KB
english, 2004
21

Dependence of I–V characteristics on structural parameters of static induction transistor

Yongshun Wang, Siyuan Li, Dongqing Hu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 296 KB
english, 2004
25

Device modeling and simulation of the performance of Cu(In1−x,Gax)Se2 solar cells

Jiyon Song, Sheng S. Li, C.H. Huang, O.D. Crisalle, T.J. Anderson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 348 KB
english, 2004
28

Low-noise behavior of planar Mo/n-Si/Mo optical sensor structures

S. Khunkhao, T. Aoki, T. Masui, K. Sato
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 329 KB
english, 2004
29

Effects of temperature variation (300–600 K) in MOSFET modeling in 6H–silicon carbide

Md. Hasanuzzaman, Syed K. Islam, Leon M. Tolbert
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 336 KB
english, 2004
30

Temperature dependence of DTMOS transistor characteristics

Jae-Ki Lee, Nag-Jong Choi, Chong-Gun Yu, Jean-Pierre Colinge, Jong-Tae Park
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 2004