Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 48; Issue 5
Main
Solid-State Electronics
Volume 48; Issue 5
Solid-State Electronics
Volume 48; Issue 5
1
Red hybrid organic light-emitting device fabricated with molecularly doped polyimide thin film containing hole-transporting nanoparticles
Youngkyoo Kim
,
Hyuntaek Lim
,
Chang-Sik Ha
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 613 KB
Ваші теги:
english, 2004
2
Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal
N Miura
,
T Nanjo
,
M Suita
,
T Oishi
,
Y Abe
,
T Ozeki
,
H Ishikawa
,
T Egawa
,
T Jimbo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
Ваші теги:
english, 2004
3
Influence of magnetic field on 1/f noise and thermal noise in multi-terminal homogeneous semiconductor resistors and discrimination between the number fluctuation model and the mobility fluctuation model for 1/f noise in bulk semiconductors
Yong-Seok Kim
,
Sang-Soo Yun
,
Chan Hyeong Park
,
Hong Shick Min
,
Young June Park
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 477 KB
Ваші теги:
english, 2004
4
Study of improved reverse recovery in power transistor incorporating universal contact
R.S. Anand
,
B. Mazhari
,
J. Narain
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 511 KB
Ваші теги:
english, 2004
5
Boundary conditions for realistic simulation of ultra short pseudomorphic high electron mobility transistor on indium phosphide substrates
F. Medjdoub
,
F. Dessenne
,
J.L. Thobel
,
M. Zaknoune
,
D. Theron
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 397 KB
Ваші теги:
english, 2004
6
Extrinsic parameter extraction and RF modelling of CMOS
M.S. Alam
,
G.A. Armstrong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
Ваші теги:
english, 2004
7
Impact of metallisation on resistor matching in a 0.35 μm analogue CMOS process
Antony Lowe
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 308 KB
Ваші теги:
english, 2004
8
Mesostructured SnO2 as sensing material for gas sensors
Yude Wang
,
Xinghui Wu
,
Yanfeng Li
,
Zhenlai Zhou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 318 KB
Ваші теги:
english, 2004
9
Gate capacitance characteristics of a poly-Si thin film transistor
Simrata Bindra
,
Subhasis Haldar
,
R.S. Gupta
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 343 KB
Ваші теги:
english, 2004
10
The super junction bipolar transistor: a new silicon power device concept for ultra low loss switching applications at medium to high voltages
Friedhelm D. Bauer
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 501 KB
Ваші теги:
english, 2004
11
Si+ ion implanted MPS bulk GaN diodes
Y. Irokawa
,
J. Kim
,
F. Ren
,
K.H. Baik
,
B.P. Gila
,
C.R. Abernathy
,
S.J. Pearton
,
C.-C. Pan
,
G.-T. Chen
,
J.-I. Chyi
,
S.S. Park
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
Ваші теги:
english, 2004
12
Quantifying hole mobility degradation in pMOSFETs with a strained-Si0.7Ge0.3 surface-channel under an ALD TiN/Al2O3/HfAlOx/Al2O3 gate stack
S. Persson
,
D. Wu
,
P.-E. Hellström
,
S.-L. Zhang
,
M. Östling
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 351 KB
Ваші теги:
english, 2004
13
Short-channel effects in the Lorentzian noise induced by the EVB tunneling in partially-depleted SOI MOSFETs
N. Lukyanchikova
,
N. Garbar
,
A. Smolanka
,
E. Simoen
,
A. Mercha
,
C. Claeys
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 357 KB
Ваші теги:
english, 2004
14
Electrical characterization of 12 nm EJ-MOSFETs on SOI substrates
W. Henschel
,
T. Wahlbrink
,
Y.M. Georgiev
,
M. Lemme
,
T. Mollenhauer
,
B. Vratzov
,
A. Fuchs
,
H. Kurz
,
M. Kittler
,
F. Schwierz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 569 KB
Ваші теги:
english, 2004
15
Gateless AlGaN/GaN HEMT response to block co-polymers
B.S. Kang
,
G. Louche
,
R.S. Duran
,
Y. Gnanou
,
S.J. Pearton
,
F. Ren
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
Ваші теги:
english, 2004
16
Steady-state and transient characteristics of 10 kV 4H-SiC diodes
Michael E. Levinshtein
,
Tigran T. Mnatsakanov
,
Pavel A. Ivanov
,
Ranbir Singh
,
John W. Palmour
,
Sergey N. Yurkov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 380 KB
Ваші теги:
english, 2004
17
A theoretical study on stress sensitive differential amplifier (SSDA)
Jingjing Li
,
Ruifeng Yue
,
Litian Liu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 280 KB
Ваші теги:
english, 2004
18
The effect of imaging forces in ultra thin gate insulator on the tunneling current and its oscillations at the region of transition from the direct tunneling to the Fowler–Nordheim tunneling
E.I. Goldman
,
N.F. Kukharskaya
,
A.G. Zhdan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 291 KB
Ваші теги:
english, 2004
19
Impact of oxide damage on the light emission properties of MOS tunnel structures
N. Asli
,
A.F. Shulekin
,
P.D. Yoder
,
M.I. Vexler
,
I.V. Grekhov
,
P. Seegebrecht
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 325 KB
Ваші теги:
english, 2004
20
Simulation and modeling of the substrate contribution to the output resistance for RF-LDMOS power transistors
J. Ankarcrona
,
K.-H. Eklund
,
L. Vestling
,
J. Olsson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 384 KB
Ваші теги:
english, 2004
21
A fast experimental method to measure the current–voltage characteristics of metal/semiconductor interfaces
E. Centurioni
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 276 KB
Ваші теги:
english, 2004
22
SiGe resonance phase transistor: active transistor operation beyond the transit frequency fT
E. Kasper
,
J. Eberhardt
,
H. Jorke
,
J.-F. Luy
,
H. Kibbel
,
M.W. Dashiell
,
O.G. Schmidt
,
M. Stoffel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
Ваші теги:
english, 2004
23
Hot carrier quasi-ballistic transport in semiconductor devices
P.A. Childs
,
D.W. Dyke
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
Ваші теги:
english, 2004
24
Accounting for quantum mechanical effects from accumulation to inversion, in a fully analytical surface-potential-based MOSFET model
Fabien Prégaldiny
,
Christophe Lallement
,
Daniel Mathiot
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 358 KB
Ваші теги:
english, 2004
25
Noise modeling in fully depleted SOI MOSFETs
G. Pailloncy
,
B. Iniguez
,
G. Dambrine
,
J.-P. Raskin
,
F. Danneville
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 549 KB
Ваші теги:
english, 2004
26
Analytical models for the surface potential and electrical field distribution of bulk-silicon RESURF devices
Weifeng Sun
,
Longxing Shi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 457 KB
Ваші теги:
english, 2004
27
Comparative I(V) study of pure Schottky contacts used in spin-LEDs
J.F. Bobo
,
S. Couderc
,
A. Arnoult
,
C. Fontaine
,
R. Mamy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 332 KB
Ваші теги:
english, 2004
28
A physics based model for accumulation MOS capacitors
Aránzazu Otı́n
,
Santiago Celma
,
Concepción Aldea
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 603 KB
Ваші теги:
english, 2004
29
Thermal noise in RF CMOS mixers
K.Y. Tong
,
B.K. Ma
,
H.T. Yuen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 263 KB
Ваші теги:
english, 2004
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
