Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 48; Issue 6
1

Foreword

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 198 KB
english, 2004
5

New SOI lateral power devices with trench oxide

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 409 KB
english, 2004
7

Double gate silicon on insulator transistors. A Monte Carlo study

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 468 KB
english, 2004
10

Multiple-gate SOI MOSFETs

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 706 KB
english, 2004
11

Total ionizing dose damage in deep submicron partially depleted SOI MOSFETs induced by proton irradiation

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 401 KB
english, 2004
12

Device design and manufacturing issues for 10 nm-scale MOSFETs: a computational study

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 576 KB
english, 2004
14

Nanoscale SOI MOSFETs: a comparison of two options

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 709 KB
english, 2004
15

Low frequency noise and hot-carrier reliability in advanced SOI MOSFETs

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 681 KB
english, 2004
19

Smart-Cut® technology: from 300 mm ultrathin SOI production to advanced engineered substrates

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 691 KB
english, 2004
21

Blue sky in SOI: new opportunities for quantum and hot-electron devices

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 472 KB
english, 2004
22

Analysis of heavy-ion induced charge collection mechanisms in SOI circuits

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.05 MB
english, 2004
23

Requirements for ultra-thin-film devices and new materials for the CMOS roadmap

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 404 KB
english, 2004