Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 50; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 50; Issue 6
1

Study of leakage-induced photon emission processes in sub-90 nm CMOS devices

Y. Weizman, M. Gurfinkel, A. Margulis, Y. Fefer, Y. Shapira, E. Baruch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 289 KB
english, 2006
2

Bandwidth enhancement of Fabry-Perot quantum-well lasers by injection-locking

Xiaomin Jin, Shun-Lien Chuang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 312 KB
english, 2006
3

Schottky barrier height in GaN/AlGaN heterostructures

A.F.M. Anwar, Elias W. Faraclas
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 139 KB
english, 2006
4

AlGaN/GaN HEMTs: Experiment and simulation of DC characteristics

Elias W. Faraclas, A.F.M. Anwar
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 2006
5

Microstructural characterization of quantum dots with type-II band alignments

W.L. Sarney, J.W. Little, S.P. Svensson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 268 KB
english, 2006
7

Annealing of ion-implanted SiC by laser-pulse-exposure-generated shock-waves

K.B. Mulpuri, S.B. Qadri, J. Grun, C.K. Manka, M.C. Ridgway
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2006
10

Two-dimensional quantum mechanical modeling for multiple-channel FET

Joong-Sik Kim, Taeyoung Won
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 490 KB
english, 2006
13

Development of high frequency ZnO/SiO2/Si Love mode surface acoustic wave devices

S. Krishnamoorthy, A.A. Iliadis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
english, 2006
14

Quantum mechanical modeling of MOSFET gate leakage for high-k gate dielectrics

Huixian Wu, Yijie (Sandy) Zhao, Marvin H. White
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 172 KB
english, 2006
15

High breakdown voltage AlGaN/GaN MIS–HEMT with SiN and TiO2 gate insulator

S. Yagi, M. Shimizu, M. Inada, Y. Yamamoto, G. Piao, H. Okumura, Y. Yano, N. Akutsu, H. Ohashi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 368 KB
english, 2006
18

Dramatic reduction of gate leakage current of ultrathin oxides through oxide structure modification

Zhi Chen, Jun Guo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 381 KB
english, 2006
19

Worst case stress conditions for hot carrier induced degradation of p-channel SOI MOSFETs

D.P. Ioannou, R. Mishra, D.E. Ioannou, S.T. Liu, H.L. Hughes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
english, 2006
20

Foreword

Agis A. Iliadis, Phillip E. Thompson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 47 KB
english, 2006
21

High temperature characterization of SiC BJTs for power switching applications

K. Sheng, L.C. Yu, J. Zhang, J.H. Zhao
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 498 KB
english, 2006
23

Gate electrode effects on low-frequency (1/f) noise in p-MOSFETs with high-κ dielectrics

P. Srinivasan, E. Simoen, R. Singanamalla, H.Y. Yu, C. Claeys, D. Misra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 318 KB
english, 2006
24

CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors

Woochul Jeon, John Melngailis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 354 KB
english, 2006
25

Large-signal modeling of SOI MESFETs

A. Balijepalli, R. Vijayaraghavan, J. Ervin, J. Yang, S.K. Islam, T.J. Thornton
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 547 KB
english, 2006
26

IFC - Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 84 KB
english, 2006
29

High performance InP/InAlAs/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

S.W. Cho, J.H. Yun, D.H. Jun, J.I. Song, I. Adesida, N. Pan, J.H. Jang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 434 KB
english, 2006
30

Monitoring the self-heating in a high frequency GaN HFET

S.P. McAlister, J.A. Bardwell, S. Haffouz, H. Tang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 143 KB
english, 2006
31

Current-transport properties of atomic-layer-deposited ultrathin Al2O3 on GaAs

H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 134 KB
english, 2006
33

Efficient THz generation and frequency upconversion in GaP crystals

Yujie J. Ding, Wei Shi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 238 KB
english, 2006
34

Influence of SOI-generated stress on BiCMOS performance

Ted Johansson, B. Gunnar Malm, Hans Norström, Ulf Smith, Mikael Östling
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 469 KB
english, 2006
35

Polysilicon TFT circuits on flexible stainless steel foils

Matias N. Troccoli, Abbas Jamshidi Roudbari, Ta-Ko Chuang, Miltiadis K. Hatalis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 856 KB
english, 2006
36

Interface characterization of molecular-monolayer/SiO2 based molecular junctions

C.A. Richter, C.A. Hacker, L.J. Richter, O.A. Kirillov, J.S. Suehle, E.M. Vogel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 322 KB
english, 2006
37

Breaking the theoretical limit of SiC unipolar power device – A simulation study

L.C. Yu, K. Sheng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 2006
41

Novel reconfigurable semiconductor photonic crystal-MEMS device

Weimin Zhou, David M. Mackie, Monica Taysing-Lara, Gerard Dang, Peter G. Newman, Stefan Svensson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 539 KB
english, 2006