Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 53; Issue 2

Solid-State Electronics

Volume 53; Issue 2
2

Raman study of quantum dots: A dielectric continuum approach

Qing-Hu Zhong, Cui-Hong Liu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 410 KB
english, 2009
4

A model for the C–V characteristics of the metal–ferroelectric–insulator–semiconductor structure

Jun Jie Zhang, Jing Sun, Xue Jun Zheng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 579 KB
english, 2009
6

New modes of THz generation by low-temperature-grown GaAsSb

S. Hargreaves, L.J. Bignell, R.A. Lewis, J. Sigmund, H.L. Hartnagel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.01 MB
english, 2009
7

Gate-induced floating-body effect (GIFBE) in fully depleted triple-gate n-MOSFETs

K.-I. Na, S. Cristoloveanu, Y.-H. Bae, P. Patruno, W. Xiong, J.-H. Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 283 KB
english, 2009
8

RF performance of GaAs pHEMT switches with various upper/lower δ-doped ratio designs

Hsien-Chin Chiu, Jeffrey S. Fu, Chung-Wen Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 331 KB
english, 2009
10

Passivation of 4H–SiC Schottky barrier diodes using aluminum based dielectrics

A. Kumta, Rusli, J.H. Xia
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 835 KB
english, 2009
13

Silicon controlled rectifier (SCR) compact modeling based on VBIC and Gummel–Poon models

Lifang Lou, Juin J. Liou, Shurong Dong, Yan Han
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 950 KB
english, 2009
15

Parameter determination of Schottky-barrier diode model using differential evolution

Kaier Wang, Meiying Ye
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 540 KB
english, 2009
16

A novel vertical channel self-aligned split-gate flash memory

Dake Wu, Falong Zhou, Ru Huang, Yan Li, Yimao Cai, Ao Guo, Xing Zhang, Yangyuan Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 354 KB
english, 2009
17

Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 66 KB
english, 2009
22

Maximum powers of low-loss series–shunt FET RF switches

Z. Yang, X. Hu, J. Yang, G. Simin, M. Shur, R. Gaska
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 288 KB
english, 2009
23

Drain bias dependent bias temperature stress instability in a-Si:H TFT

Z. Tang, M.S. Park, S.H. Jin, C.R. Wie
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.07 MB
english, 2009
24

Photocapacitance study at p–i–n photodiode by numerical C–V integration

A. Sertap Kavasoglu, Nese Kavasoglu, Sener Oktik
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 488 KB
english, 2009